基本半导体与汉磊科技达成8英寸碳化硅战略合作

8月4日，基本半导体发布公告称，已与汉磊科技股份有限公司达成战略合作。

根据公告，双方将基于此前长期合作的基础上，加快8英寸SiC晶圆的开发及量产，以提升碳化硅产品在新能源、汽车、AI算力中心等领域的市场份额。此外，双方还将围绕新型化合物半导体在前沿应用领域的核心工艺及应用技术展开研究。

在本次合作中，基本半导体将负责产品技术和成熟的市场验证；汉磊科技则承接晶圆制造环节，开放自有的8英寸SiC产线资源。基本半导体董事会认为，此次战略合作有望在未来几年为公司提供先进及充足的8英寸碳化硅晶圆制造能力，有利于合作双方在市场开拓及技术迭代方面实现重大突破。

据“行家说三代半”此前报道，今年4月，汉磊科技与世界先进共推的8英寸SiC晶圆产线完成试产，规划月产能为1500片，计划于2026下半年开始量产。而基本半导体目前已在深圳光明拥有6英寸SiC晶圆制造基地，该基地2025年产量为5943片，利用率68.9%。此次合作，意味着基本半导体将补齐自身8英寸SiC晶圆产能短板，快速推进终端市场布局。

汉磊科技创始于1985年，是台湾化合物半导体（SiC/GaN）代工龙头，目前拥有1座 4/5吋硅基、2座6吋SiC/GaN晶圆厂以及8英寸SiC晶圆产线（在建）。据汉磊科技2026年Q1财报，目前其6英寸GaN月产能2000片接近满载，主要供应AI服务器VRM；6英寸SiC月产5,000片，Gen4平面MOSFET量产中，Trench MOSFET定于2026年Q2量产，主要供应车规主驱与工业逆变客户。2026年一季度，汉磊科技营收15.347亿新台币（折合约3.21亿元人民币）。

基本半导体成立于2016年，是专业从事SiC功率器件研发与产业化的IDM企业。目前主营SiC分立器件，SiC功率模块和栅极驱动芯片，在深圳、无锡、中山均设有生产基地。基本半导体于2026年7月8日正式在港交所上市。2025年，该企业营业收入为3.11亿元，主要来自于销售SiC功率模块，占比为39.3%。

信息来源：行家说三代半

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