近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布完成数亿元A轮融资。

本轮由方广资本、深创投集团联合领投，远致星火、中国中车、株洲高科产投、华睿投资、余杭金控、传化资本、嘉道资本跟投，原有股东九智资本、毅岭资本同步超额追加。融资汇聚头部市场化创投、下游产业龙头及地方国资等多方优质机构，新老股东均对公司长期价值抱有坚定信心。

本轮资金将重点投向氧化镓产业化推进：

一是支持下游芯片客户完成器件验证，协同打通“衬底外延－芯片器件－终端应用”全链路，推动终端示范应用；

二是扩大6/8英寸衬底及外延量产产能，以更高良率和交付效率满足客户持续增长的订单需求。

从浙大实验室到产业化

镓仁半导体的基因，写在浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室的实验记录本上。

创始人张辉2005年在浙大获得博士学位，此后十余年深耕晶体生长方向，2009年至2011年在美国圣路易斯华盛顿大学做访问学者。2018年，在学术带头人杨德仁院士的设计和指导下，张辉与团队开始研发氧化镓单晶材料。四年后，2022年9月，杭州镓仁半导体有限公司在萧山注册成立。

团队核心成员几乎全部来自浙大硅材料国家重点实验室和杭州国际科创中心先进半导体研究院。首席顾问杨德仁院士的坐镇，意味着这家初创企业在晶体缺陷控制和热场设计领域，起点就站在了国内第一梯队。

据了解，硅材料背景的团队做氧化镓，优势恰恰在于热场设计。铸造法本质上是在可控热场中实现熔体定向凝固，这与硅单晶生长的底层逻辑相通，也是镓仁能在短时间内突破的关键。

技术路线切换：铸造法改写成本曲线

镓仁的衬底尺寸从2英寸推进到8英寸，但真正可能改写产业规则的，是技术路线的切换。

此前氧化镓衬底产业几乎被导模法（EFG）垄断。这条路线需要使用大量贵金属铱（Iridium）制作坩埚和模具。据张辉在公开活动中透露，4英寸氧化镓坩埚需要用到约5kg铱。

镓仁半导体选择了另一条路：铸造法。据悉，镓仁依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体，结合超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至原有3至4倍，衬底单片成本较原来降低80%以上。

成本降80%，出片量翻3至4倍——这两个数字的乘积效应，才是氧化镓衬底成本曲线出现断崖式下跌的真正原因。

据镓仁方面测算，现有技术量产后，6英寸衬底成本可做到2000元以下。

需要说明的是，镓仁所称的铸造法，技术底子是垂直布里奇曼法（VB）。镓仁自研了首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备，实现了从设备开发、热场设计、晶体生长到晶体加工的全链条自主可控。值得注意的是，公司还对外销售该型长晶设备，商业模式并不止于材料本身。

从技术路线的差异化选择到产业资本的认可，镓仁正在将材料优势一步步转化为产品优势。随着下游器件验证的推进和产能的持续释放，这家从浙大实验室走出来的创业公司，有望在第四代半导体材料产业化进程中扮演重要角色。

信息来源：镓仁半导体、NE时代半导体

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