随着AI算力产业高速迭代，数据中心单机柜功率正式迈入兆瓦级时代，800V高压直流、48V中间母线架构全面普及，为电源系统带来全新挑战。在此背景下，SiC、GaN等宽禁带器件彻底摆脱可选升级的定位，成为AI算力电源的核心刚需器件。那么，如何适配行业刚需、破解高压高频供电痛点？为此，记者采访了MPS（芯源系统）公司高级FAE经理路环宇。

MPS（芯源系统）公司高级FAE经理路环宇

1 AI数据中心用SiC/GaN发展动向

伴随AI单机柜功率迈入兆瓦级，800V高压直流、48V中间母线全面普及，宽禁带器件已从“可选升级”转为算力电源刚需。AI 数据中心用宽禁带 SiC/GaN的发展整体呈现三大趋势：

● 高压SiC主攻前端800V整流环节，氮化镓（GaN）聚焦48V低压侧高频变换，SiC+GaN混合架构成为最优系统方案；

● 器件向更高开关频率、更低损耗、集成驱动一体化演进，简化电源外围电路成为市场新需求；

● 行业从单纯比拼单管性能，转向器件、驱动、控制芯片、散热封装一体化系统解决方案竞争，高可靠、低成本量产能力成为企业核心壁垒。

在这一趋势下，MPS同步布局SiC与GaN双线产品，旨在适配AI数据中心高低压全链路需求。

2 MPS在800V HVDC、48V中间母线架构的优势

800V高压侧架构下，MPS SiC搭配配套专用栅驱IC，具备低导通电阻、极小开关损耗；采用低寄生电感封装，抑制高压尖峰，降低EMI滤波成本。

48V中间母线场景中，MPS GaN支持MHz级开关频率，可大幅缩减变压器、电容体积，显著提升功率密度。

散热层面，MPS全系宽禁带器件采用散热增强型DFN、TOLL封装，优化焊盘导热路径；搭配自研多环路数字控制方案，动态调节开关时序，进一步降低整机发热，实现散热硬件成本优化，兼顾能效与整机小型化。

3 在 AI 服务器电源场景的落地进度

目前，MPS SiC产品已批量供货头部云厂商800V高压机柜电源，完成了服务器整机认证，稳定大批量交付；48V侧GaN功率器件配套降压电源、GPU辅助电源实现量产，搭载于多款新一代AI服务器。

现阶段，MPS产品已覆盖单机柜200kW～1MW全功率段，正在推进第二代SiC、集成驱动单芯片GaN样品送测，预计2026年内将进入小批量验证阶段。

4 成本、可靠性、系统集成、生态层面的竞争力

成本端，依托MPS自有工艺平台与规模化量产可摊薄晶圆成本，一体化驱动+功率器件单芯片方案减少外围元器件，也能够帮助客户大幅降低整机BOM。

可靠性方面，MPS器件通过严苛加速老化、万次功率循环、湿热环境测试，满足数据中心全年7×24小时不间断运行标准。此外，通过功率器件与控制器保护逻辑协同设计，多层分级防护机制，从源头降低整机宕机故障风险。

系统集成优势突出，MPS是全球极少数同时具备宽禁带功率器件、隔离栅极驱动、数字多相降压控制器、大电流DrMOS完整自研能力的厂商，软硬件底层协同优化，可大幅缩短客户方案开发与整机认证周期，形成竞品难以复制的技术壁垒。

生态层面，MPS可提供完整仿真模型、参考设计、评估板。依托全国布局的算力专属技术支持团队，可以为本土客户提供全面快速的技术服务。同时，MPS也联合整机厂搭建联合实验室，共同开发完整的电源方案。

5 未来2～3 年规划

MPS市场布局将聚焦数据中心800V HVDC、48V中间母线两大算力核心赛道，深耕大型超算IDC、兆瓦级液冷机柜、边缘AI算力节点。公司将通过SiC高压前端+GaN高频后端+全自研控制IC一体化成套解决方案，持续加大算力电源专项研发投入，致力于成为全球AI数据中心宽禁带电源方案核心龙头供应商。

在产品迭代路线上，MPS将推出新一代低损耗SiC全电压等级产品，同时推进GaN驱动-功率单芯片集成，进一步提升开关频率与能效。与此同时，公司会持续扩产自有宽禁带产线，依托全球化分散供应链布局，保障AI算力市场持续爆发的供货需求。

来源：EEPW电子产品世界

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