2026年6-7月，碳化硅（SiC）领域在政策引领与市场驱动下持续深化，从地方规划到技术突破、从产业合作到应用落地，多点发力。

政策破局：上海临港发布第四代半导体三年行动方案，江苏率先出台固态变压器专项政策，地方产业布局从“规划引导”走向靶向扶持；

技术攻坚：平湖实验室750V沟槽型SiC JFET达国际先进水平，突破高端工艺瓶颈；

应用落地：通用电气、蔚来、士兰、三安等企业密集达成战略合作，覆盖车规、固态变压器（SST）及航空航天等核心领域，同时瑞声科技、英飞凌、Wolfspeed等国内外大厂加速推进器件迭代与量产交付，推动3300V高压芯片及高良率工程流片落地；

产业布局：中、韩、日、美等主要经济体持续加码，国内多地及国际巨头纷纷投建新产线，全球功率半导体竞赛全面升级。

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政策资讯

上海临港发布第四代半导体三年行动方案：聚焦氧化镓、金刚石、氮化铝，2028年产业规模力争突破50亿元

7月2日上海临港新片区印发《第四代半导体未来产业集聚区建设行动方案（2026-2028年）》，明确第四代半导体涵盖氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带，以及锑化铟、锑化镓等超窄禁带两类材料，目标2028年集聚相关企业不少于50家、产业规模突破50亿元，形成全链条培育体系，打造长三角公共研发中试验证高地与全国领先的产业先导区。

方案部署八大重点工程，核心聚焦材料攻坚：推进氧化镓低成本大尺寸晶圆量产，突破金刚石高质量制备技术并推动其从热管理材料向功能半导体升级，开发氮化铝单晶技术，加速锑化物特色工艺开发，同时覆盖器件研发、封装、平台建设、场景示范等全环节。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/6HrnbC16BXHoNSniziS61g

江苏四部门联合发布固态变压器行动方案：攻关SiC/GaN功率器件等核心技术，2028年产业规模突破100亿元

7月，江苏省四部门联合印发固态变压器产业行动方案，明确到2028年产业规模突破100亿元，实现3-5项关键技术突破，培育2-3家领军企业，并在AI数据中心、超充电站、智能微电网等领域落地示范应用。方案将SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件列为攻关核心，同时布局高频变压器、薄膜电容及各类关键材料，解决高频损耗、高压绝缘等瓶颈。

同月，江苏省固态变压器产业联盟在常州成立，首届成员共78家，覆盖磁性材料、功率模块、整机制造等全产业链，包括南瑞继保、万帮数字能源、宏微科技等头部企业，会上同步发布多项产品与合作项目。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/VTHon7674oelsWrJSIC2kQ

https://mp.weixin.qq.com/s/lsCabf2cXpgi2KEq2Z3u8w

联盟动态

《宽禁带半导体大讲堂 第七期 SiC如何定义下一代固态变压器（SST）？》成功举办

6月11日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办的“宽禁带半导体大讲堂第七期——SiC如何定义下一代固态变压器（SST）？成功举办。

本次活动邀请到清华大学新型电力系统运行与控制全国重点实验室、能源互联网研究院副研究员李驰、西安交通大学副教授、博士生导师王威望、华北电力大学教授、博士生导师许建中、中金公司研究部半导体行业研究员、副总经理成乔升4位专家，围绕SiC赋能SST关键技术、SST中高频固态变压器的绝缘与可靠性、数据中心固态变压器电磁暂态建模仿真以及高压架构下功率半导体市场分析等内容展开深度交流。

信息来源：
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《碳化硅单晶切割片》等六项团体标准正式发布

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》、《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》、《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》、《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》六项团体标准。

上述标准，如需查阅标准请与我们联系！

标准工作联系人：陈老师

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联系地址：北京市大兴区丰远街1 号院

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技术前沿

深圳平湖实验室750V沟槽型 SiC JFET达国际先进水平，突破高端碳化硅器件工艺瓶颈

深圳平湖实验室依托自有8英寸SiC中试平台，成功研发出750V沟槽型SiC JFET器件，击穿电压超920V、比导通电阻低至0.75mΩ·cm2，同步推出4款规格产品覆盖多元功率场景，经500小时可靠性测试性能无退化，关键指标达国际先进水平。

团队创新采用浅沟槽自对准注入工艺，将沟道分解为阈值调节区与耐压调节区实现阈值独立调控，破解了传统工艺中刻蚀均匀性制约阈值一致性的量产痛点，相关技术已获国家发明专利授权。此次突破实现了我国在该细分赛道从工艺、器件到知识产权的全链条自主可控，补齐了国内8英寸碳化硅器件短板，未来将依托开放中试平台加速推进AI算力、智能电网等领域的产业化落地。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Yp1oAp55Rbmn1fDJXe0-UQ

企业动态与合作

企业合作:

战略合作：通用电气航空航天与Wolfspeed达成高压碳化硅战略合作

6月8日，通用电气航空航天与碳化硅龙头Wolfspeed签署谅解备忘录，将围绕Wolfspeed全球首款商用10千伏碳化硅MOSFET芯片开展高压碳化硅技术战略合作，目标推动相关技术在工业、航空航天及国防市场商业化落地，还将共同制定高压功率模块行业标准，应用于固态变压器、工业电气化及下一代航空航天国防平台，同时强化供应链韧性。该技术可减少系统串联器件数量、降低复杂度，让相关设备更紧凑高效可靠。此次合作契合美国关键技术部署方向，高压碳化硅技术还可缓解AI数据中心电力损耗瓶颈，缩短重工业设施投产供电时间。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/1NE94WiElV0i-Gi3Qk4Pkw

SST合作：士兰/三安/瀚天天成/科华数据等达成SST战略合作

近日，厦门市成立固态变压器（SST）创新联合体，由麦克奥迪牵头，汇聚士兰微、三安半导体、瀚天天成3家碳化硅企业，科华数据、索克曼能源、宏发股份等4家电力装置与能源企业，以及厦门理工学院、厦门大学等共10余家产业链上下游主体与科研院所。

联合体计划1-3年内突破SST关键核心技术，构建从碳化硅材料、核心器件到系统集成的自主可控产业链，推动SST规模化应用，攻关方向覆盖整机层面的功率密度、效率、可靠性提升与成本降低，以及组件层面的宽禁带半导体器件、高频变压器、控制系统等。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Ud4m2PoVOHE9hwDHaeKlRQ

SST合作：超能电力与南京师范大学开展SST产学研合作

7月16日，江苏超能电力关联公司丹迈数智电气与南京师范大学电气与自动化工程学院签署SST产学研合作协议，双方将围绕SST技术研发、工艺优化、成果转化、人才培育展开合作。其中南师大在MMC-SST领域有系统性成果，创新提出功率复合型拓扑，将SST功率变换级数从3级降至2.5级，可有效缩小体积、提升功率密度。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/tZVclUyYuPUP-9Uq6FrrNA

车规合作：昕感科技与蔚来达成合作，联合布局车规碳化硅技术

7月6日，碳化硅功率半导体企业昕感科技与蔚来在无锡签署战略合作协议，共建“车规功率半导体联合实验室”，昕感科技也正式进入蔚来核心供应链体系。双方将依托昕感科技的测试应用中心，围绕车规级功率模块开展测试验证、可靠性研究及前沿技术开发，构建“芯片—模块—电驱—整车”一体化研发体系，未来昕感科技将为蔚来提供碳化硅芯片、功率模块及系统级解决方案，助力其高压电驱平台升级。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/-t53hOn3MkiGR4NHD7tyWw

研发合作：SK Powertec与RootSemicon合作开发1200V SiC MOSFET，首轮工程流片平均良率达80%

韩国功率半导体设计商RootSemicon与SiC晶圆代工厂SK Powertec联合开发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET完成首轮工程流片，平均良率达80%。该产品面向电动汽车充电器等汽车电子市场。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/qJER1rnmdxHHEYpu-76rCA

企业产品及技术进展

设备：创锐光谱在SiC衬底检测领域取得多项重要进展

近期，创锐光谱在SiC衬底缺陷检测、外延质量评估及AR光学衬底量产质检等多个方向取得重要进展，具体如下：

1、DISPEC 9000全自动SiC衬底位错缺陷无损检测系统实现规模化交付

该系统顺利完成出厂测试并正式发运客户，继成功交付海内外头部客户并通过验收后再次实现出货，标志着该型号设备正稳步迈入规模化、标准化交付新阶段。设备支持6/8/12英寸SiC衬底全自动检测，检测通量达4-5片/小时（6英寸），可无损、快速检出TED、TSD、BPD、SF、MP、碳包裹体、异晶等七类缺陷，并集成AI智能辅助精准识别功能。

2、光学无损检测技术获国际头部厂商Coherent验证认可

Coherent采用创锐光谱Dispec-9000设备开展SiC衬底缺陷研究，与晶格缺陷检测“金标准”XRT对比验证，检测结果在统计数据与晶圆缺陷分布上高度一致，其中BPD缺陷相关性系数R2高达0.923，检测速度、重复性与可靠性均获充分肯定。此外，创锐光谱还推出TAU-9000晶圆少子寿命成像系统，5分钟/片即可完成检测，支持5μm-200μm不同厚度外延层分析，可区分表面与体相质量，为SiC产线品控与缺陷机理研究提供有力支撑。

3、面向AR光学碳化硅衬底量产质检推出Y300高精度晶圆吸收光谱仪

针对AR显示产业对光学级SiC衬底吸收率一致性的严苛需求，创锐光谱推出自研Y300全自动光学级SiC晶圆吸收光谱仪，具备万分之一级重复检测精度（<0.02%），覆盖6-12英寸晶圆，检测通量≥60 WPH，搭载单片动态自动校正与实时参比补偿光路，并配备非接触式机械手全自动上下料系统，可支持7×24小时无人值守连续检测，为AR光学衬底出厂性能提供标准化标定支撑。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/maCHcGt33z4xnyU37Dq02w

https://mp.weixin.qq.com/s/wl6h7ZtlQSojydoVxfDG8A

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器件：瑞声科技SiC光波导达成量产定点合作

6月15日，瑞声科技宣布旗下SRG衍射光波导镜片通过全球多个头部终端客户性能与可靠性测试，达成量产定点合作。其自研单层全彩SRG衍射光波导采用半导体级DUV光刻+刻蚀工艺，厚度0.4-0.7mm、重约4g，较传统玻璃光波导减重超50%；基础版支持25°视场角，亮度效率最高达4000nits/lm，高端碳化硅基材方案可实现52°超大FOV，色彩偏差Δu'v'＜0.02，有效改善彩虹纹等问题，形成覆盖高低端市场的全场景产品矩阵。

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器件：芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"

芯联集成依托自研8英寸SiC工艺平台，正式推出面向固态变压器等场景的3300V SiC MOSFET器件，目前已向核心客户送样。该产品采用高压平面栅技术，性能优异，相比1200V方案，在10kV中压固态变压器前端应用中可减少60%级联数与器件总量，大幅简化电路，综合BOM成本降低20%-35%，支撑固态变压器高频、小型化、高效演进，公司还将配套推出适配的高频磁性器件。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/LhpIazaRrN0f5QmqAuUO2A

器件：四家国际头部厂商相继发布新一代SiC器件/模块新品，平面与沟槽路线同步逼近极限

Wolfspeed、三菱电机、英飞凌、东芝四家国际头部厂商相继发布新一代SiC器件/模块新品，覆盖车规主驱与高频工业两大应用场景。Wolfspeed与三菱分别沿平面优化与沟槽可靠性路线推出第五代芯片，比导通电阻降幅达25%-27%；英飞凌以205℃高温模块突破车规模块热边界；东芝则以棋盘格SBD结构切入高频工业电源赛道。四家同月迭代，标志着SiC器件竞争已从“能否做出来”转入“平面/沟槽谁能更好平衡Rsp、可靠性、量产良率”的系统工程阶段。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/iuIFMK48ajwI2yE3JcIJzQ

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企业新订单及应用进展

当前SiC产业正加速向SST、轨道交通、车规、零碳园区等场景渗透，国内产业链上下游产能同步爬坡，国产设备与器件进入批量交付阶段。

新兴应用场景突破：

固态变压器（SST）：SiC核心器件驱动电力系统变革

华润微电子：SiC产品在固态变压器（SST）领域实现销售突破，获多家客户备货订单；已完成650V-2300V SiC MOS管与模块布局，3300V产品正在规划，相关产品已在商用车主驱、大功率快充批量供货。

西安电力电子（中国西电子公司）：6月斩获4台13.8kV AC/800V DC海外数据中心专用SST订单，当前主推2MW数据中心/充电站SST（效率＞97%）、4MW光伏直挂SST两款产品。

白云电气：6月签约广东揭阳揭东区零碳园区项目，将建设粤东首个SST重卡“光储充换检”综合能源站。旗下为光能源SST已累计出货超100台（套），正推进扩产，达产后年产能将突破40GW，同时布局AIDC智算中心专用SST生产基地。

宏景智能：首套1.25兆瓦SiC-SST产品下线，目前已应用于充电场站、零碳园区场景，相比传统变压器体积更小、效率更高，系统成本更低。

南京华塑：近期启动SST自主研发，计划2026年底前完成样机测试并落地工程应用。产品规划覆盖10~35kV电压等级，单机容量1~5MW，将适配数据中心等场景，与公司现有储能业务形成协同。

轨道交通：SiC辅变实现城轨批量装车

株洲中车：高频SiC辅助变流器在深圳地铁5号线批量装车，是国内首个城轨SiC辅变批量落地项目，投用后累计安全运营超60万公里，较传统硅基产品具备轻量化、节能降噪等优势，已迈入规模化推广阶段。

家电与光伏储能

格力电子：2026年SiC业务同比增长200%；产品已在家电领域规模化应用，光伏储能、充电桩领域产品进入量产阶段，SiC二极管、MOSFET已通过AEC-Q101车规认证，正推进车规级芯片验证导入。

国产设备批量交付：

中电科风华：晶圆缺陷检测设备Saturn 3520发往国内SiC头部企业，该设备可适配多种半导体材料缺陷检测，目前已面向多家客户批量出货并通过验收。

矽加半导体：与国内头部SiC衬底厂商达成复购合作，获批量设备订单，双方协作解决了大尺寸SiC加工共性难题，矽加将成为该客户扩产的核心装备供应商之一。

飞仕得：一周内完成两台8英寸SiC晶圆老化测试系统交付，生产基地满负荷运转，规模化交付能力成熟，可匹配8英寸SiC产业扩产的测试需求。

器件模块产能爬坡：

爱微电子：一季度SiC模块销售额环比增20%+，2025年出货将超200万片，供应比亚迪、吉利、现代起亚等车企，追加千万扩产，下半年3-4款定制模块量产。

阿基米德：混合SiC模块通过10余家储能厂商验证，获头部储能企业数万只订单，Q1营收增70%，现有年产能SiC塑封模块50万只、光储模块80万只。

宇泉半导体：SiC模块导入头部固态变压器企业，一期150万只产线满产，在手订单超10亿元，二期500万套模组项目年内投产。

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产业布局及投融资信息

项目建设信息:

晶盛机电2.06亿投建高端半导体设备碳化硅零部件项目：项目由子公司浙江晶诚新材料实施，利用现有1.4万平方米厂房改造，建设期2年，达产后将年产碳化硅外延炉石墨腔体及配套耗材、刻蚀环等共20350套/件，年新增销售收入2.47亿元，将增强相关零部件国产化配套能力。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/ag9dX1bfurI1YXp8IaVicg

北京晶格领域项目：总投资5000万元，拟引民资4000万元，采用液相法技术，产品填补P型、3C-N型衬底市场空白，此前中试线产能已达年产2.5万片。

天津宽晶半导体项目：由天津理工大学院士团队成果转化而来，基地2026年7月交付，重点推进12英寸光学SiC（用于AR眼镜、AI芯片散热，2026年内小批量供货）、6英寸磷化铟单晶产业化，计划2-3年实现12英寸SiC规模化生产。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/48aGcLFY96LWpB-ngJO6qA