【氮化镓简报】6-7月V缺陷三维PN结理论登顶国家科技奖，车规认证与人形机器人关节量产 ...

2026年6-7月，氮化镓领域呈现技术多点开花、产业链深度协同与全球化布局加速三大特征。

技术前沿方面，南昌大学江风益院士团队凭“V缺陷三维PN结”原创理论获国家自然科学一等奖，国内科研机构在器件稳定性、欧姆接触、散热及高压器件等核心难题上接连取得突破，山东大学与南昌大学分别在单片集成与底层理论上实现里程碑式进展，国际层面则涌现出742GHz超高频器件、金刚石复合散热等前沿成果，推动GaN向更高频、高功率、高集成度演进。

产业端，企业合作覆盖人形机器人关节驱动、车载架构重构、数据中心电源及射频芯片等多元场景，中国电科55所实现硅基氮化镓射频芯片量产超五百万颗，智元机器人将GaN批量部署于具身机器人关节，标志宽禁带半导体正式切入新兴赛道。此外，英特尔300mm氮化镓硅基单片集成、英飞凌航天级GaN驱动器等产品进展，进一步拓宽了GaN的应用边界。

项目建设与投融资方面，AIXTRON落子槟城建厂，多家企业完成新一轮融资，全球GaN产业化竞争正加速驶入深水区。

技术前沿

月度亮点：南昌大学江风益院士团队凭“V缺陷三维PN结”原创理论获国家自然科学一等奖

南昌大学江风益院士团队凭《V缺陷三维PN结及应用》获国家自然科学奖一等奖，该项目由南昌大学独立完成，系江西省首次以省内单位为第一完成单位摘得该奖项，也是本年度3项一等奖中唯一信息领域成果。团队推翻国际学界长期将氮化镓LED中V型缺陷视为有害结构的认知，原创提出V缺陷三维PN结理论，证明V缺陷可形成天然三维PN结，兼具促进空穴注入、抑制电子泄漏、释放内部应力三重作用，将传统二维平面PN结理论拓展至三维体系，完善了氮化镓器件基础理论。依托该理论，团队突破了绿光、黄光LED效率低和衰减快的产业瓶颈，开辟无荧光粉纯芯片发光路线，推动高性能Micro-LED显示芯片、国内首款黄光AR眼镜等落地，兼容硅衬底和蓝宝石衬底两大主流工艺，支撑半导体照明、近眼显示等产业发展。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/VwSkRD1_dJb_Drtecr1T9Q

1.1 功率器件：中高压与可靠性双线突破

山东大学联合远山半导体攻克高压GaN难题——1800V增强型器件

山东大学集成电路学院刘超教授团队联合远山半导体，攻克高压GaN器件技术瓶颈，成功研制出耐压超1800V、电流超20A的增强型极化超结（PSJ）GaN HEMT器件。该器件采用p-GaN栅极结合自主PSJ技术，解决了传统GaN器件栅漏电场的集中问题，兼具常关特性，无需负压驱动，比导通电阻低至4.6 mΩ·cm2，巴利加优值超785 MW/cm2，性能居同类器件前列。

这项突破兼顾了高耐压、高电流、低损耗与系统易用性，为新能源汽车主驱、光伏储能、AI数据中心电源等中高压场景的GaN产业化提供了新路径。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/XKnejT7zGwkVmtxD_PPbXQ

苏州纳米所孙钱团队发布两项GaN功率器件突破

中科院苏州纳米所孙钱团队在IEEE ISPSD 2026上发布两项GaN功率器件突破。

第一项针对p-GaN栅增强型HEMT的动态阈值电压漂移难题，通过在AlGaN势垒层引入GaN插入层作为空穴导流释放路径，将动态VTH漂移降低85%以上（控制在0.2V以内），同时将晶圆级阈值电压标准差从170mV降至70mV、栅漏电流显著降低，为高可靠性应用提供了新结构设计思路。

第二项针对高压GaN器件因直接带隙导致少子寿命短、难以实现电导调制的瓶颈，采用小斜角台面边缘终端结构实现"光子回收"效应，研制出3kV阻断电压的纵向GaN p-n二极管，比导通电阻低至0.18mΩ·cm2，较理论值降低一个数量级，首次从实验上验证了光子回收对提升GaN器件性能的价值。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/Yg9vbdBvmjBUxiaEmSm_Jg

上海微系统所发布650V全硅基氮化镓共源级器件新方案：攻克 GaN 器件自激振荡难题

中国科学院上海微系统与信息技术研究所团队近期发表650V全硅基氮化镓共源级器件成果。针对现有GaN/Si Cascode器件易受寄生参数影响引发自激振荡、可靠性下降的问题，团队揭示低中间节点电压诱发自激振荡的机理，提出以Si基低压增强型GaN HEMT替代传统Si MOSFET的全GaN共源方案，搭配堆叠倒装芯片封装与磁通抵消PCB布线，大幅降低寄生电容与电感。该研究形成了从机理分析、拓扑设计到封装布线的完整方法论，为GaN Cascode器件在AI服务器、新能源汽车等场景的高可靠性应用提供了系统级解决方案。。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/yhUggLF1FZ97DXs-NWSfcQ

1.2 光电与新兴应用：集成度与效率双提升

山东大学：全GaN单片集成取得突破，迈向“显示+通信+感知”三合一芯片

山东大学团队研发出全氮化镓单片集成新方案，在同一GaN芯片上集成了2T1C像素驱动电路、Micro LED和光电探测器，首次将主动矩阵常用的2T1C架构与上述两类光电器件同平台整合，每个像素可同时实现显示、光信号收发功能。该方案避免了传统硅基背板转移键合带来的热失配、对准误差等问题，采用成熟GaN工艺制造，器件布局紧凑，无需额外光学元件即可完成近距光信号收发。

测试显示其在5kHz驱动频率下可实现发光与探测协同工作，未来可应用于AR/VR、智能穿戴等设备，让显示屏兼具双向通信能力，推动Micro LED向“显示+通信+感知”三合一方向发展，为智能终端、可见光通信及新型人机交互提供更高效的解决方案。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/JGirkE4EOmiuD85ZSNmzug

广东省科学院半导体研究所攻克p-AlGaN欧姆接触核心难题

广东省科学院半导体研究所微纳加工平台在深紫外LED领域取得突破，针对高Al组分p-AlGaN材料欧姆接触难的行业难题，提出Ni/Ag/Ni三层电极方案，通过优化电极层厚、退火工艺等参数，将比接触电阻率降至1.36×10-3Ω·cm2，较常规Ni/Au电极低两个数量级，满足器件实用化要求。研究解析出性能提升的核心机制：退火时p-AlGaN近界面Ga原子外扩散形成受主型Ga空位降低肖特基势垒，Ga与Ag、Ni分别形成高导电固溶体，空气氛围下Ag、Ni与氧反应生成高导电AgNiO₂相，三者协同提升载流子输运能力。将该电极集成到无p-GaN吸收层的DUV-LED器件后，4.7A/cm2电流密度下外量子效率达8.30%，较对照组提升约27%。

该研究首次实现28%高Al组分p-AlGaN的直接低阻欧姆接触，简化工艺、降低成本，为高效率深紫外LED产业化奠定基础。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/t7hU_uVGnwBXpfJXr5XpFQ

1.3 射频与高频：频率天花板再刷新

庆北大学：742GHz超高频率45纳米GaN HEMT问世，突破射频器件性能天花板

韩国庆北大学团队在2026年6月的VLSI技术与电路研讨会上，联合IVWorks推出基于reGaN工艺的45纳米氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），截止频率达742GHz，刷新同类器件性能纪录。该器件从外延结构、栅极加工、散热设计多维度优化，降低高频寄生参数，兼顾稳定功率输出与超高频性能。

其突破了过往氮化镓射频器件的频率瓶颈，可支撑6G太赫兹通信、自动驾驶雷达、航天及国防大功率射频装备等超高频场景需求，为化合物半导体工艺研发提供可行思路，有望推动太赫兹通信与高端雷达产业跨越式发展。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/_kuJCdgmDk5gRiV-vlRD1w

企业动态与合作

合作:

产学研合作：清华天津高端院与星元晶算，攻关氮化镓原子级制造赋能人形机器人关节

近日，星元晶算科技（深圳）有限公司与清华大学天津高端装备研究院正式签约，由雒建斌院士团队牵头，围绕人形机器人关节模组的氮化镓器件原子级制造工艺开展联合研发，产学研合作全面启动。

此次合作首次将氮化镓应用从消费电子、新能源电源延伸至人形机器人核心关节赛道，重点攻关氮化镓芯片在关节模组的应用方案、原子级制造工艺与物理极限探索、芯片选型与异构集成三大方向，通过原子级制造将芯片制备精度推进至原子尺度，充分释放氮化镓性能潜力，突破现有功率器件物理上限。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/a7oNC-JvpzCesEQeX6MX8g

产学研合作：山东大学与珠海镓未来：共建宽禁带半导体技术及应用研究中心

6月26日，山东大学与珠海镓未来科技有限公司共建的宽禁带半导体技术及应用研究中心授牌仪式举办。济南市工业投资控股集团表示将发挥国有资本引导作用，支持平台落地、赋能区域半导体产业升级；镓未来创始人兼CTO吴毅锋称将依托山大科研实力，发挥产业市场优势推进技术攻关与商业化；山大科研院副院长赵珊指出该中心是学校落实产教融合、服务国家半导体战略、推进一流学科建设的重要实践，将全力支持建设。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/hsv4nwqtfcuNATS6lXdt5Q

产业链协同：是德科技与稳懋半导体：降低氮化镓单片微波集成电路设计风险

是德科技与稳懋半导体联合推出一体化氮化镓单片微波集成电路设计流程，面向5G基站、卫星载荷、军用雷达等应用场景，将片上多域仿真、带校验的三维版图设计、片外评估板设计整合至同一操作环境，依托稳懋NP 120P工艺设计套件及是德科技的ADS仿真工具，可自动化完成全流程仿真优化与校验，还能实现片内芯片与片外元器件协同设计验证，大幅降低流片失败风险，缩短高端射频产品上市周期，助力企业把握2031年全球规模预计达27.7亿美元的射频氮化镓器件市场机遇，保障下游客户采购信心。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/DQX20vS4JhXawrAboOeq9A

产业链协同：IAV & 安世半导体：双向GaN重构800V汽车架构

近日IAV与安世半导体在2026年PCIM欧洲展发布联合开发的“ONE Inverter”一体化逆变器，可通过双向氮化镓（BDS GaN）器件重构800V新能源汽车高压架构。该技术突破传统三电系统受最弱电芯限制的痛点，能对电芯进行单独动态管理，提升单电芯电量提取效率，同时依托双向GaN的高效快速开关特性，省去主驱逆变器、OBC、各类独立DC-DC/DC-AC转换器及12V/24V等多规格低压电池等超6个电源转换子系统，大幅简化系统复杂度与成本。

该技术可适配软件定义汽车需求，提升系统效率与灵活性，双方将通过半导体技术与系统方案协同，推动方案落地。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/LitWzjGwEsK-NGBr2FHF2Q

产业链协同：剑桥氮化镓器件（CGD）与恩智浦：合作加速氮化镓在数据中心和电动汽车中的应用

CGD与恩智浦半导体达成长期合作，共同加速氮化镓在数据中心、电动汽车两大高增长市场的应用。

CGD的ICeGaN技术可支撑数据中心高功率密度、高降压比要求，也能满足汽车牵引逆变器低负载提效、多器件并联的大电流需求。合作中恩智浦将获得CGD先进氮化镓产品及下一代技术研发早期权限，CGD则可借助恩智浦的处理器、模拟产品组合及全球商业网络，双方依托互补优势打造差异化系统级解决方案，提升能源效率与可持续性，加快相关产品落地速度。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/pm2XRPbB4CksbNkL2E4wxA

产能扩张：罗姆与爱思强：扩大氮化镓功率产能，瞄准 AI 与电动车市场

日本功率半导体厂商罗姆与德国设备商爱思强达成新合作，罗姆在其日本滨松工厂引入爱思强的G10-GaN外延沉积平台，推进8英寸氮化镓外延片量产爬坡，产品覆盖650V、100V两类功率器件平台，分别适配AI数据中心、电动车动力系统及AI加速器、GPU供电等场景。

双方合作不止于设备采购，还涵盖工艺联合优化与技术路线图共建，G10-GaN平台可满足高产能、高均匀性的生产需求。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/1YhNHw1pbTk3XtnLoxpePQ

产能扩张：三菱化学与日本制钢所（JSW）：扩产GaN，产能拟提升50%

三菱化学与JSW宣布大幅扩产氮化镓衬底，计划到2027年将产能较2026年提升50%，达到2021年的3倍。双方将分别扩建JSW北海道室兰工厂和三菱化学茨城工厂的产线。产品方面，目前4英寸衬底已进入客户评估阶段，今年将推出6英寸样品，力争2028年供应8英寸样品。两家自2017年起合作研发，三菱化学负责技术与原料，JSW负责衬底生产，其联合开发的"SCAAT™-LP"低压酸性氨热法可将衬底成本降至传统方法的约1/10，晶体缺陷减少至1/100~1/1000。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/2gayoJnyHYBpAGK5KWfITw

企业产品及技术进展

中国电科55所：全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗

中国电科55所自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片已交付超五百万颗，率先实现该类芯片在智能终端的规模化商用。该芯片具备高功率、高效率、超宽频、高可靠等优势，可匹配空天地一体化通信对射频功放芯片的高要求，将支撑未来6G通信、商业航天、低空经济等领域发展，破解高端射频芯片产业化难题，助力全域无缝通信网络建设，推动万物互联愿景落地。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/l-nnDhRGU6kOu6uitoCTWA

智元第15000台具身机器人下线：GaN已批量部署于关节驱动，宽禁带半导体进入人形机器人供应链

智元机器人6月28日下线第15000台具身智能机器人（型号精灵G2），交付龙旗科技投入智能制造，从3月破万台到此次仅用不到3个月，量产爬坡极快，目前已具备年10万台以上交付能力，精灵G2此前已在龙旗产线完成长期验证。此次量产的另一核心信号是氮化镓（GaN）已在关节驱动中批量部署，单台基础用量约300颗，配高自由度灵巧手可超1000颗，凭借高频、小型化、低损耗优势解决硅基器件瓶颈，合封方案再减板内面积40%，已在数百台机器人应用。

这标志着宽禁带半导体正式进入人形机器人供应链，继电动车、AI数据中心后成为新增长点，工业场景验证也印证了GaN方案的可靠性。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/go1-pxuMJu8ukjaiZFgZlw

Atomera：米尔斯硅技术（MST）打破硅基氮化镓射频瓶颈

半导体企业Atomera推出米尔斯硅技术（MST），攻克硅基氮化镓射频应用的核心瓶颈。MST技术通过在硅晶圆表层生成氧改性薄层，阻挡电掺杂剂扩散，提升界面晶体品质，从源头降低寄生沟道电荷。经第三方机构Incize测试，搭载该技术的样品在900MHz、输入功率+15dBm条件下，二次、三次谐波功率较普通硅基氮化镓低约1000倍，线性度实现质的飞跃，高频性能大幅提升，已接近高端射频SOI技术水平，有望改写氮化镓射频领域的成本格局。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/j5SlaILnLGyvghatvJ5mqw

英飞凌推出用于航天电源系统的辐射强化氮化镓驱动器

英飞凌推出面向航天电源系统的辐射强化氮化镓栅极驱动器RIC70115，支持硅MOSFET和GaN HEMT的高低侧配置，可助力卫星电源从硅基向氮化镓架构平滑过渡。该器件集成独立米勒端子抑制寄生导通、差分输入提升抗干扰能力，内置LDO调压器减少外部元件、简化设计。其符合MIL-PRF-38535军用标准，耐总电离剂量达100 krad（Si），单事件效应耐受LET高达81.9 MeV·cm2/mg，工作温度-55°C至125°C，适用于近地轨道及更高要求的空间任务。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/rejUK5Q7fASRxzEnzBNv6A

项目建设/投融资信息

AIXTRON落子槟城：4000万欧元建厂，剑指“AI Power Wall”与“AI Data Wall”

德国沉积设备龙头AIXTRON将在马来西亚槟城投资4000万欧元建设制造与工程设施，占地8.5英亩，预计2027年春季试运营、下半年出货，主要生产100-200mm宽禁带半导体设备服务亚洲客户。该公司瞄准AI数据中心高能耗（AI Power Wall）和海量数据高速传输（AI Data Wall）两大挑战，依托氮化镓、碳化硅等技术提供高效功率转换和高性能光互连方案。

此举填补了马来西亚前端设备制造的空白，与其国家半导体战略高度契合，标志着槟城"东方硅谷"正从后端封测向前端设备环节延伸。

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/kts7k73WJdYihsmAKTVo5g

多家企业投融资信息

信息来源：
https://mp.weixin.qq.com/s/2iWmpn3B5DoGNYo_3R_zPA

以上就是2026年6-7月宽禁带半导体-氮化镓专题的关键进展，再次感谢您的关注与支持！未来，我们将持续深耕宽禁带半导体领域，不断探索与创新，力求为您提供最前沿、最全面的宽禁带半导体产业信息。

因篇幅限制，本期呈现内容为精选版本，完整版已整理为PDF，如您需获取完整版内容或有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎添加产业小助手与我们联系。让我们共同推动我国宽禁带半导体产业迈向全球价值链高端！