晶旭半导体硅基异质外延氧化镓压电薄膜取得重大突破！

近日，福建晶旭半导体在硅基异质外延氧化镓（ε-Ga₂O₃）压电薄膜材料领域取得关键性产业化突破，相关产品已正式进入下游客户验证阶段，综合性能全面优于传统体声波（BAW）压电材料，成功从底层材料打破海外技术与专利垄断。

作为5G/6G通信、卫星互联网、高精度雷达等领域的核心器件，高频大带宽BAW滤波器已成为新一代射频前端的刚需核心部件。长期以来，全球BAW滤波器核心压电材料以AlN（氮化铝）体系为主，美日企业凭借完善的专利布局构筑严苛的知识产权壁垒，国内产业长期受制于人。

针对行业技术痛点，晶旭半导体摒弃传统AlN技术路线，历经二十余年深耕攻关，在2023年攻克硅基异质外延ε-Ga₂O₃压电薄膜产业化应用难题，实现材料、工艺、装备、理论全方位原创创新。目前公司已斩获100余项国内外授权发明专利，核心材料关键性能较国外同类产品提升20%以上，是目前全球唯一具备氧化镓基BAW滤波器压电材料自主量产交付能力的企业。

在核心装备端，企业自主研发国际首台ε-Ga₂O₃外延专用MOCVD设备，攻克腔体流场热场优化、高温抗氧化加热等核心技术，实现超高质量氧化镓压电薄膜量产制备。产品核心参数达到行业顶尖水准：FWHM＜0.6°、膜厚均匀性＜2%、应力＜500Mpa，位材料内部缺陷（C轴取向度>98%，孔隙率<0.1%、位错密度<10⁶ cm⁻2）少于同类压电材料，达到应用可量产化要求。

依托自研薄膜技术，晶旭半导体成功量产高良率ε-Ga₂O₃基POI晶圆，产品良率超97%。该晶圆可支撑2GHz-10GHz超高频、100MHz-1.5GHz超大带宽滤波需求，带内插损低于2dB，相较传统BAW滤波器功率容量提升1倍，在高频通信、大带宽物联网场景优势显著。

商业化层面，晶旭半导体氧化镓压电外延片及POI晶圆已获得国内Fabless、IDM及晶圆代工厂认可，全面导入客户验证流程，预计2026年底实现批量交付。成本端，硅基异质外延工艺相较传统掺杂压电材料方案成本降低50%，同时公司计划2026年底落地8英寸氧化镓压电材料量产线，进一步压缩生产成本，加速技术规模化普及。

此次技术突破，补齐了国内高端射频压电材料的产业短板，彻底摆脱对海外AlN技术体系的依赖，为我国射频前端产业链自主可控、5G/6G产业迭代提供了核心材料支撑。

信息来源：第三代半导体产业

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