英飞凌SiC助力Fox ESS户用储能系统效率逼近99%，开关损耗降低70%

8月28日，英飞凌宣布其最新的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术已被Fox ESS应用于PQ3-Ultra户用储能系统。该方案将开关损耗降低70%，帮助系统实现光伏逆变器峰值效率98.78%、电池充放电效率98.47%，双双逼近99%的行业天花板。

SiC技术如何提升储能效率

PQ3-Ultra是Fox ESS旗下一款一体化户用储能系统，首次采用英飞凌SMD全碳化硅解决方案及Q-DPAK封装SiC器件。

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2采用了沟槽栅极架构与.XT互连技术的组合。其中，.XT互连技术旨在降低热阻和工作结温，器件架构本身则有助于降低开关损耗。

顶部散热的Q-DPAK封装也与传统的底部散热设计不同。英飞凌表示，该方案可改善PCB布局，降低寄生效应和杂散电感，支持更高的功率密度。紧凑的封装兼容自动化批量生产。

据HTW柏林应用科学大学和AQUU Research的测试，Fox ESS的PQ-H3-Ultra-10.0逆变器与EQ3300-5电池组合的系统性能指数（SPI）达到97.0%，在2026年测试的10kW级混合逆变器和储能系统中排名第一，也是自2018年该评估启动以来的最高SPI记录。

户用储能市场：SiC的又一个规模化应用出口

在户用储能领域，效率提升带来的收益往往容易被低估。 储能系统每天都要经历一次完整的充放电循环，一年就是365次。一台10kW系统若效率提升1个百分点，10年生命周期内可节省数千度电的电费损耗。更重要的是，更低的损耗意味着更少的热量产生——Q-DPAK封装配合SiC器件的低开关损耗，使系统散热结构得以简化，有助于延长整机寿命、降低售后维护成本。

从产业协同的角度来看，英飞凌与Fox ESS的合作模式也值得留意。 Fox ESS是中国品牌，其上一代PQ-H3系列在2025年已拿下HTW SPI评测10kW组第一名，当时依靠的是IGBT方案。今年切换到SiC方案后，效率从97.6%提升至98.78%，直接把SPI推到了评测历史最高点。 在成本敏感且竞争激烈的户用储能市场，一旦头部厂商证明SiC方案能在提升性能的同时控制住BOM成本，其他厂商的跟进速度可能比预想中更快。对于SiC产业而言，这相当于打开了又一个规模化的应用出口——从电动汽车延伸到户用储能，市场空间在持续放大。

信息来源：eenewseurope

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