晶飞半导体落子天津，碳化硅激光剥离设备基地预计2027年投产

“天津经开区—泰达”官网消息，近日，北京晶飞半导体科技有限公司（以下简称晶飞半导体）在天津经开区注册成立天津晶飞半导体科技有限公司，将投资2000万元在天津经开区微电子创新产业园打造高端激光剥离设备生产基地项目。

图片来源：“天津经开区—泰达”官网

#晶飞半导体 高端激光剥离设备生产基地主要产品包括激光剥离碳化硅设备和激光剥离金刚石设备，预计于2026年10月开始厂房装修改造，年底设备进场，2027年上半年正式投产。

晶飞半导体成立于2023年7月，是一家源自中国科学院半导体研究所科技成果转化的高新技术企业，专注于碳化硅晶锭双脉冲激光剥离设备的研发、生产与销售，目前已形成激光改质、剥离及配套工艺的全流程技术方案，全面覆盖6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底加工需求。公司研发人员占比超50%。

碳化硅是第三代半导体最具代表性的宽禁带材料，具备耐高压、高开关频率、高热导率等特性，是新能源汽车主驱逆变器、充电桩、光伏储能、数据中心电源等设备的核心材料。然而，碳化硅衬底的生产长期受困于一个关键环节——晶锭切片：传统金刚线切割损耗大、良率低、速度慢，成为大尺寸碳化硅衬底量产的主要堵点。晶飞半导体给出了激光垂直剥离（LLO）技术的答案，破解了该产业发展难题。同时，经开国投公司参与该企业A轮融资，助力晶飞半导体全面提升交付量产能力，开拓更大市场。

来源：集邦化合物半导体

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