海外技术项目对接

项目编号：2026D-0038

项目方向：氧化镓功率器件
技术名称：用于增强电源管理的 Ga₂O₃ 垂直 MOSFET
技术阶段：TRL 6
合作方式：技术转让、技术许可、合作研发

项目简介

美国纽约州立大学布法罗分校（University at Buffalo, SUNY）与俄亥俄州立大学联合开发了一项基于Ga₂O₃的垂直沟槽MOSFET技术，面向电网、轨道交通、电动汽车等高压功率电子应用。

该技术针对氧化镓垂直功率器件开发过程中浅受主掺杂困难这一关键问题，在垂直沟槽MOSFET结构中引入原位Mg掺杂电流阻挡层（CBL），通过器件结构设计实现电流调控，为高压氧化镓功率器件提供新的技术路径。

目前项目技术成熟度达到TRL 6，已完成系统原型开发，并进入进一步实际环境验证阶段。

核心技术

垂直沟槽MOSFET结构

采用垂直器件结构，面向高压功率器件应用需求。

原位Mg掺杂电流阻挡层

通过原位Mg掺杂形成电流阻挡层（CBL），针对Ga₂O₃缺乏成熟浅受主掺杂体系的问题进行器件结构设计。

高压功率应用方向

技术面向高压、大功率电力电子系统，具有进一步拓展至电网、轨道交通及新能源汽车等领域的应用潜力。

潜在应用

电网：高压直流（HVDC）转换器等

轨道交通：电力机车牵引电力电子设备

新能源汽车：电动汽车快速充电设备

高压设备：高压仪器及相关电力电子系统

知识产权及研发基础

项目已提交美国专利申请：

US Patent Application No. 63/717,887

相关研究成果发表于：

E-Mode Vertical β-Ga₂O₃ (010) U-Trench MOSFETs With In-Situ Mg-Doped Current Blocking Layers

IEEE Electron Device Letters, 2025, 46(5), 725–728.

合作需求

目前项目方希望与具备相关产业基础或研发能力的企业、科研机构开展进一步对接，合作方式包括：

技术转让｜技术许可｜合作研发

欢迎氧化镓材料、外延、功率器件、功率电子及相关应用领域的企业和科研机构关注本项目。

来源：福建省科学技术厅

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