随着碳化硅(SiC)器件产业朝着更高电压和更大裸芯片尺寸推进,材料级质量和晶圆一致性已成为关键差异化要素。Wolfspeed 的 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅(SiC)衬底在缺陷密度、微管数量和晶圆片形稳定性等多项指标上实现了质量飞跃。

通过消除起始基材中的波动因素,Wolfspeed 的 Premium 高端材料为碳化硅(SiC)器件制造商提供了一种可预测更强、良率更高的起始基材,提高了首次设计成功的概率,缩短产品认证周期,这在当前行业容错空间不断收窄的背景下尤为重要。

Wolfspeed 材料事业部执行副总裁 Cengiz Balkas 博士表示:“Wolfspeed 在推进碳化硅(SiC)材料技术发展方面处于领先地位,我们 200 mm 产品组合中的这一最新产品正是我们技术实力的体现。我们正在为客户提供更坚实的基础,以开发要求日益严苛的碳化硅(SiC)器件,并依托我们的制造经验和规模,在客户需求增长时提供重要支持。”

Wolfspeed 的 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅(SiC)衬底经过行业标准方法的 X 射线形貌检测验证,微管密度低于每平方厘米 0.01 个,即每片晶圆少于三个微管,同时具有较低的贯穿螺型位错密度。结合 Wolfspeed 久经验证的晶圆片形和批次间一致性,更高的裸晶圆质量可直接转化为更优的外延性能,并且完全可在客户现有的外延工艺中实现。

依托成熟的制造工艺和深厚的材料技术沉淀,Wolfspeed 的 Premium 高端材料可实现更高的整批次良率和更优的制造成本效益。该产品现已开放订购,并且拥有专属产能保障和清晰的产品扩展路线图。依托公司现有的大规模碳化硅(SiC)制造基地,Wolfspeed 具备充足的制造信心与能力,可随市场需求增长快速扩充新产能。

Wolfspeed 的 200 mm 制造运营自 2022 年以来持续投产,历经了四年多的工艺精进和良率提升,为客户建立了成熟、可靠的供应基础。

Wolfspeed Premium 高端 200 mm n-型碳化硅(SiC)衬底现已开始供货。


来源:芯片指南针

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