近日，国内4个碳化硅项目传来新进展，其建设进程持续提速：

• 中宜创芯：光学级碳化硅粉体项目建设进度已经达到80%。
• 利普思：扬州SiC项目一期预计年底建成交付，年产能150万只；

• 银河微电：新基地预计明年二季度进入试产阶段，将生产IGBT及碳化硅功率模块5000万只；

• 新佳电子：碳化硅模块专用生产线已满负荷运转，年产能可达60万只；

中宜创芯：SiC项目建设进度达80%

10月8日，据平顶山广播电视台报道，中宜创芯公司光学级碳化硅粉体项目于今年6月正式启动，目前工程建设进度已经达到80%。

据悉，中宜创芯深耕碳化硅新材料领域，成功研发适配AR眼镜镜片的半绝缘碳化硅粉体原料，可为国产AR设备产业提供核心材料支撑。

河南中宜创芯发展有限公司董事长、总经理董建勋表示，项目建成后，将再次填补河南省光学级碳化硅粉体材料的产业空白。下一步，他们将丰富碳化硅的产品种类，全力打造全国最大的碳化硅半导体材料生产基地。

利普思：SiC项目一期预计年底建成交付

近日，据江都新闻报道，扬州利普思车规级第三代功率半导体模块项目作为省级重大项目，截至目前，地基与基础分部已完成验收，主体厂房初具雏形，预计9月底前主体厂房全部封顶，年底建成交付。

据了解，该项目总投资10亿元，其中项目一期投资1.8亿元，将规划建设两栋主体建筑，并新建2条车规级碳化硅模块封装测试产线，引进各类生产设备一百余台（套），年产能可达150万只；项目完全达产后，年产能可达300万只。

施工单位负责人对记者透露，目前一号生产车间已经进入到了主体施工阶段，预计在9月底完成主体结构封顶，目前现有的施工人员达到了200多人，周围的配套设施也在同步跟进，保障按期完工。

据“行家说三代半”此前报道，今年3月，利普思扬州生产基地举行开工奠基仪式，标志着该项目正式进入建设阶段。与此同时，利普思与为恒智能、蓝点、速豹、深蓝探索、闪开iFaster五家企业签署战略合作协议，将围绕IGBT/SiC技术在多个下游应用展开深入合作。

银河微电：SiC项目预计明年试产

10月8日，据常州国家高新区官微透露，省重大项目银河微电高端集成电路分立器件产业化基地主体结构已封顶，各项配套建设全速推进，预计明年二季度进入试产阶段。

据悉，该项目重点布局先进车规级半导体分立器件、第三代半导体功率模块生产线，主要生产车规级半导体功率器件、IGBT、IPM功率模块等核心产品。

项目全面达产后，预计年产车规级分立器件5.5亿只、小信号及功率器件80亿只、光电器件25亿只、IGBT及碳化硅功率模块5000万只，进一步补强区域高端半导体产业链。

常州银河世纪微电子股份有限公司是专注于半导体分立器件研发、晶圆制造、封装测试与市场销售，产品矩阵覆盖功率器件、小信号器件、第三代半导体器件及光电器件与集成器件四大板块，目前其SiC功率器件已完成车规可靠性验证与头部客户送样。

新佳电子：SiC产线满载运行

10月8日，据经济日报报道，新佳电子的全自动化车规级碳化硅模块专用生产线已满负荷运转，产品顺利进入国内头部车企供应链。

报道透露，新佳电子半导体封装产能位居国内前列，明年将新增2条车规级产线，预计2027年底至2028年初，可实现车规级产品年产能150万只、工规级产品年产能400万只。

而在今年4月，据威海新闻报道，新佳电子的第一条碳化硅产线已经满产，建设的第二条碳化硅生产线预计到今年五一投产，投产以后产能可提高一倍，年产能将达60万只。

威海新佳电子有限公司成立于2004年，专注于功率半导体器件的设计、研发和生产，在2006年就建成第一条IGBT模块封装生产线。目前，他们已完成AI算力中心电源、固态变压器（SST）系统碳化硅器件研发布局，持续拓宽产业赛道。

来源：行家说三代半

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