广州拓诺稀科技有限公司实现(010)氧化镓SBD器件技术突破

实现(010)氧化镓SBD器件技术突破

近日，广州拓诺稀科技有限公司（以下简称“公司”）在氧化镓（Ga₂O₃）功率器件领域取得阶段性进展。继（010）厚膜同质外延技术突破后，公司基于自主外延材料完成肖特基势垒二极管（SBD）制备与电学测试。器件表现出良好的正向导通特性，实现较高正向电流密度和 1200 V 级反向耐压。该结果验证了公司（010）Ga₂O₃ 高质量厚膜外延材料在高压功率器件中的应用潜力，标志着公司技术路线由外延材料向功率器件端延伸。

图1 （010）Ga₂O₃ SBD 器件实物图

前期，公司采用 MOCVD 技术在（010）同质外延方向实现高质量厚膜生长：外延膜为单晶，室温电子迁移率达 160 cm2/V·s，C-V 法掺杂浓度 1.5×101⁶ cm⁻3，XRD 摇摆曲线半高宽 60 arcsec，表面粗糙度小于 2 nm。

高质量厚膜外延、低掺杂漂移层与良好晶体质量，为 SBD 实现高耐压和低导通损耗提供了材料基础。

测试结果表明，器件同时表现出良好的正向导通特性和 1200 V 级反向耐压。

图2 （010）Ga₂O₃ SBD 正反向 J-V 特性：(a)正向；(b)反向

正向方面，器件在正向偏压下具有良好的导通特性，并实现较高正向电流密度。（010）晶面较高的电子迁移率提升了载流子输运效率，为高电流密度和低导通损耗提供支撑。反向方面，器件达到 1200 V 级反向耐压，验证了高质量厚膜外延在高压方向的应用能力。正向导通与反向耐压的协同表现，进一步体现了（010）Ga₂O₃ 材料体系在高压、高电流密度功率器件方向的潜力。

本次SBD器件进展，是公司在（010）Ga₂O₃ 技术路线上的进一步延伸。公司将继续推进高质量厚膜外延与功率器件协同开发，为客户提供从外延材料到器件验证的解决方案，助力氧化镓功率器件产业化。

来源：亚洲氧化镓联盟

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