摘要: 2021年9月25日，2021中关村论坛全体大会召开，会上揭晓了2020年度北京市科学技术奖，14位科学家、150项成果获奖。北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理彭同华研究员获杰出青年中关村奖。2019年，北京市科学技 ...
2021年9月25日，2021中关村论坛全体大会召开，会上揭晓了2020年度北京市科学技术奖，14位科学家、150项成果获奖。北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理彭同华研究员获杰出青年中关村奖。
2019年，北京市科学技术奖首次设立突出贡献中关村奖、杰出青年中关村奖、国际合作中关村奖；首次分设自然科学奖、技术发明奖、科学技术进步奖。其中杰出青年中关村奖旨在奖励具有引领未来科技发展巨大潜力的青年科学家，包括科学研究类和技术研发类，每类获奖者每年不超过5人。
彭同华研究员长期致力于第三代半导体碳化硅衬底材料基础机理研究和产业化关键核心技术开发，带领天科合达公司技术和生产团队在北京市建成了具有完整自主知识产权的年产6万片碳化硅衬底生产线，实现了大尺寸碳化硅衬底产品的规模化供应。
天科合达公司作为国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底研发、生产、销售的国家级高新技术企业，先后研制出2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅衬底，并实现6英寸碳化硅衬底大批量生产，打破了国外对碳化硅衬底的技术封锁，推进了我国半导体关键材料生产技术“自主可控”的进程，被国家工信部认定为专精特新“小巨人”企业。目前公司已形成一个总部和三家全资子公司的产业布局，是国内领先的碳化硅衬底生产企业，也是全球主要碳化硅衬底生产企业之一。
面对当前“新基建”、“碳达峰、碳中和”等规划和政策的发布，天科合达将抓住发展机遇，立足自主创新，优化技术工艺，逐步扩大市场份额，为我国第三代半导体碳化硅产业发展提供强力支撑。

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