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摘要: Ga2O3作为新型超宽禁带半导体材料,具有优良的物理化学特性,在高功率器件领域有着重要应用。虽然国内Ga2O3体单晶制备技术已经取得了显著进步,但由于国内Ga2O3外延厚膜技术仍存在空白,限制了Ga2O3器件的发展。HVPE ...

Ga2O3作为新型超宽禁带半导体材料,具有优良的物理化学特性,在高功率器件领域有着重要应用。虽然国内Ga2O3体单晶制备技术已经取得了显著进步,但由于国内Ga2O3外延厚膜技术仍存在空白,限制了Ga2O3器件的发展。HVPE作为生长厚膜的最佳方法,目前国际上只有日本Novel Crystal Technology公司利用此技术研发并量产Ga2O3同质外延片,国内尚处于起步阶段,罕有HVPE同质外延Ga2O3的相关报导。

中国电科46所HVPE研发团队根据多年的HVPE技术基础,设计并搭建实验平台、调整流场结构和探究复杂的生长规律,经过不懈努力,突破了HVPE同质外延Ga2O3过程中气相成核和外延层质量控制等难题,成功制备出(001)Ga2O3同质外延片样品,外延层厚度>10μm,XRD半高宽<50arcsec,表面粗糙度<0.5nm,载流子浓度达到1016cm-3数量级,其关键技术指标与国外先进水平相近,样品已送至国内相关器件研制机构验证。接下来我们将继续深入Ga2O3同质外延技术研究,优化外延制备工艺,实现高结晶质量和电学特性可控的HVPE Ga2O3同质外延片的稳定制备。

国内首家-中国电科46所成功制备出HVPE氧化镓同质外延片

中国电科46所作为目前国内首家掌握HVPE Ga2O3同质外延技术的科研单位,HVPE Ga2O3同质外延技术达到了国内领先水平,填补国内相关领域的空白,为相关器件研究提供了有力的技术支撑。

来源:46新声


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