」派恩杰1700V/1Ω SiC MOSFET收获新能源知名车企订单

近日，据派恩杰半导体官微消息，派恩杰半导体的 1700V/1Ω SiC MOSFET 产品顺利通过了国内知名新能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目测试，并已成功应用，这标志着派恩杰半导体成为了首家进入主驱逆变器系统的国产碳化硅芯片供应商。

据派恩杰半导体透露，派恩杰1700V系列器件针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on)，使其广泛适用于工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器以及UPS等三相功率变换系统中的辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。

工业三相供电 (400 Vac to 690Vac )的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，母线电压范围在300Vdc-1000Vdc。为了给系统中的控制器、显示器、风扇以及保护供电，通常需要从高压母线取电，输出小功率5-24V直流给辅助设备供电。

由于母线电压通常大于600V，因此辅助电源需要采用2个800V Si MOSFET构成的双管反激电路，而采用1700V SiC MOSFET 由于可以耐更高的电压，更小的Rds(on)，可以采用1个SiC MOSFET构成更为简单的反激电路实现，从而大幅减小来元器件数量，设计更简单，驱动设计更容易，缩短开发周期，因此可以用于300V 至1000V输入的反激式拓扑中。

SiC MOSFET由于具有更小的开关损耗，这可使客户可以直接将装置通过散热片安装在PCB上，无需风冷散热，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。与使用硅器件相比，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。

派恩杰SiC MOSFET产品在650V至1700V的各电压平台都具备相应产品，其HDFM值优于行业平均水平50%以上，显示出出色的综合性能。其短路能力和门极抗干扰能力达到了国际一流的标准，同时栅氧的可靠性满足了车规级标准。这次从知名新能源车企成功获得订单，是对派恩杰SiC MOSFET产品性能和可靠性的高度认可。

来源：派恩杰半导体