慕尼黑电子展一直以来被称为「电子行业风向标」，近两年国产碳化硅的产业链发展逐渐走向成熟，此次「慕展」更是近30余家国产碳化硅企业组团亮相，逾50家公司展示了碳化硅产品。下面我们再一起回顾盘点一下本次「慕展」部分碳化硅企业。

■ 五十五所

SiC器件及模组产品亮相

本次展会上，国基南方携射频 GaN功率器件、声表滤波器、SiC功率芯片与模块、FRED芯片、微显示OLED器件与模组、AR眼镜等多种产品参展。

日前，公司对外官宣国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只，实现大批量稳定供货。

公司表示，国基南方、55所持续推进新能源汽车用碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，率先在新能源汽车、光伏、智能电网等领域规模化应用，累计保障超过160万辆新能源汽车应用需求。

■ 基本半导体
第二代SiC MOSFET、Pcore™2 E2BSiC功率模块、门极驱动芯片

展会现场，基本半导体正式发布公司第二代SiC MOSFET产品、工业级碳化硅功率模块——Pcore™2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 进一步完善公司产品阵容。

▲ 为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体推出兼容EasyPACK™ 2B封装的工业级全碳化硅 MOSFET 功率模块Pcore™2 E2B。

▲ 基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

▲ 基本半导体针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求

■ 泰科天润

首次展出1200V 80mΩ SiC MOSFET

泰科天润在本次展会上首次展出来公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET、650V60A混合单管和2000V系列产品。

▲ 1200V 80mΩ SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更低的开关损耗，更高的开关频率，更高的工作温度，Vth典型值超过3V。

▲ 公司已实现六寸碳化硅晶圆，稳定量产交付。

■ 上海瀚薪

新一代650V/1200V更低内阻的碳化硅MOSFET平台产品

今年，瀚薪在慕尼黑上海展上推出我们新一代650V/1200V更低内阻的碳化硅MOSFET平台，650V达到13mΩ，1200V达到18mΩ，同时还有1700V 500mΩ的新产品应用于光储充辅源方案。

此外，瀚薪推出了拥有自主专利并且系国内唯一的顶部散热封装—T2PAK，T2PAK封装体的尺寸加大，能够应用于更高功率操作的器件。

传统的封装体，其漏极端直接焊接在PCB板上，导热特性不够理想，采用新型的顶部散热封装形式，能够在封装体顶部额外连接散热片，显著提高器件的散热能力，大幅提升散热效率，降低散热成本，适用于自动化的SMD贴片封装等对可靠性要求比较高的场景，真正助力于提升系统的稳定性、一致性。

■ 瞻芯电子

650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品

瞻芯电子本次在展会现场展示来公司全系列碳化硅功率半导体和芯片产品。重点围绕新能源汽车应用、光伏与储能、充电桩领域，展示适用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二极管和功率模块，以及驱动芯片和参考设计方案。

目前，瞻芯电子已开发量产了650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品，规格参数齐全，且有多种贴片、插件、模块封装。

同时，围绕碳化硅应用，开发了多种系列栅极驱动芯片，包括SiC专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外，瞻芯电子首创了一系列CCM模拟控制芯片。

■ 瑞能半导体

工业、光伏储能以及新能源汽车相关方向的全域功率半导体解决方案

本届慕尼黑上海电子展，瑞能半导体展出了包括碳化硅器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与功率二极管，IGBT 等功率分立器件，以及各类型功率模块如双极性功率模块，碳化硅模块，IGBT模块。丰富的产品系列能覆盖光伏储能，工业以及新能源汽车应用的方方面面，更可以针对客户的需求提供定制化的解决方案。

在三代半导体领域，瑞能持续研发并推出多种碳化硅(SiC)半导体器件，累计出货量累计达4000万颗。目前，瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开发，拥有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET产品已实现业内最低比导电阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2。目前正在进行第三代trench gate产品开发。