「融资」中瑞宏芯半导体完成过亿元A+轮融资

近日，中瑞宏芯半导体宣布完成过亿元A+轮融资，这是中瑞宏芯继今年10月份产投融资以来的又一融资进展。

10月，中瑞宏芯半导体完成近亿元人民币的产投融资，由光伏微逆领头公司禾迈股份和头部汽车电子供应商纳芯微联合投资。本轮融资将继续用于碳化硅器件的技术研发创新、生产运营及市场拓展，全方位提升中瑞宏芯在SiC功率半导体行业的核心竞争力。

中瑞宏芯凭其自身优势产品的竞争力和连续翻番的销售数据，以设计公司的商业模式成功集合起上下游产业领头企业的联合投资，显示了行业对于中瑞宏芯在SiC功率半导体领域的竞争地位和未来前景的肯定。

产品方面，5月，中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET产品 - HX1M014120K的量产计划，成为国内极少数可批量提供该规格大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的半导体厂商之一。

产品主要参数与国内外主流产品对比如下表所示：

以上各项数据均可看出，中瑞宏芯SiC MOSFET产品主要静态和动态参数与国际主流产品不相上下。且与国内友商相比，我司配套供应链材料、外延、制造与封装测试等相关制程均符合IATF 16949认证，并可单独提供完整的车规级MOSFET产品筛选以达到更高规格一致性要求。

该产品应头部合作车企的要求，于2022年Q3开始研发，Q4开始下线、测试等工作。考虑到承载更大电流的特性，当下优先推出了TO-247-4L的封装形式，可以满足光伏储能、新能源车、超级充电桩等相关工业领域的诸多需求。

值得一提的是，在驱动电压方面，中瑞宏芯做到与国际一流产品相匹配，在客户端应用方面可以实现更好的兼容性。此外，HX1M014120K在短路耐受方面也有良好提升，175℃、800V下短路3.5uS安全测试表现，意味着在桥式结构电路应用上的更高可靠性。

■ 短路能力曲线--175℃、800V下短路3.5uS安全通过

回顾中瑞宏芯半导体两年多的发展，已顺利完成各个阶段的融资，快速实现新产品的开发和销售。截止目前，SiC JBS的累计出货超200万颗， SiC MOSFET的累计出货达100万颗，实现了向多家新能源企业批量供货，顺利推进新能源汽车主驱MOSFET芯片验证与导入，积极建立与国内主力新能源车厂行稳致远的战略合作关系，并成功获得海外新能源车厂关联的供应商资质，把握市场风口迎接新能源汽车爆发式增长的契机。

来源：行家说三代半

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