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摘要: 近日,总投资10亿的中科钢研集成电路产业园项目有了新进展,据报道称,项目一期工程已完工,二期生产车间和机修车间钢结构正在吊装,预计6月份主体竣工。项目落地于莱西经济开发区,这里将会建成中科钢研的国家级先 ...

近日,总投资10亿的中科钢研集成电路产业园项目有了新进展,据报道称,项目一期工程已完工,二期生产车间和机修车间钢结构正在吊装,预计6月份主体竣工。项目落地于莱西经济开发区,这里将会建成中科钢研的国家级先进晶体研究院,专注碳化硅晶体材料的研发生产。


项目占地约80亩,建筑面积5万平方米,主要生产高品质4-6英寸碳化硅晶体衬底片。达产后,预计可实现年产5万片4-6英寸碳化硅导电型与半绝缘型单晶衬底片。


中科钢研表示,项目建成后,能使我国摆脱大规格、高品质碳化硅晶体衬底片依赖进口的局面,产品国产化后,成本将大幅降低,能在通信、高铁、新能源汽车等方面被广泛应用,将引领碳化硅半导体材料及下游行业出现爆发式发展。



碳化硅是现今最受关注的第三代半导体材料之一,其在高温、高压、高频等条件下性能优异。碳化硅等第三代半导体,在半导体照明光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件、太阳能电池和生物传感器等其他器件等方面展现出了巨大的潜力。而在军用方面,SiC主要用于大功率高频功率器件。


中科钢研节能科技有限公司拥有先进的升华法碳化硅长晶炉和4英寸高温化学气相沉积法碳化硅生长技术,其技术和工艺填补了国内空白,并具备了产业化应用条件。


文稿来源:化合物半导体市场,Amber整理


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