SiC应用最大痛点：不谈技术，只谈成本（下）

这个5kW升压转换器（25kHz对100kHz）的真实案例研究表明，在电力电子应用中，磁性元件主要得益于较高的开关频率。一旦为SiC和IGBT方法选择了频率，就很容易计算升压LC值。首选策略是降低电感，从而降低扼流圈的成本、重量和体积。值得注意的是，其主要好处来自于最小化的磁性元件。

此外就是节约物流成本，由于运输和贮存产品的物流成本会侵蚀公司的利润，很大程度上取决于产品的总体尺寸和重量，那么，体积密度（W/l）和重量密度（W/kg）对以下物流可变成本都有影响：仓库、劳动力、汽油和运输。很简单，根据质量定律，利用SiC MOSFET提高频率时，就可以根据节省的尺寸和重量来计算节省的资金了。

好处是降低了从半导体制造商到最终用户的整个生产链成本

需要注意的是，SiC MOSFET可以提高功率电子应用的开关频率、效率和功率密度。尽管本身成本较高，但上述优点可转化为较低的总体系统成本。为降低成本，可采取不同策略，而所有潜在效益（磁性元件最小化、提高效率和/或功率密度等）的最佳权衡取决于应用、输出功率和其他因素。

写在最后

今天，碳化硅器件已在对效率、功率密度、系统成本敏感的应用中率先应用。

SiC MOSFET的优势在于，不必像IGBT那样串联起来才能提高单元功率；采用SiC MOSFET的DC/DC电路可以大大简化电路拓扑设计，减少元器件数量，缩小无源元件间距，控制和驱动电路也更加简单；此外，还可以减小磁性元件的尺寸和成本。虽然目前碳化硅器件价格还比较高，但它节省整个系统成本的优势正在慢慢体现出来。

总之，由于功率损耗的降低，能量的有效性，加上应用方面的优势，碳化硅器件正在使系统设计更紧凑，成本效益更高，其渗透率也随之大幅上升。

来源：与非网