「倒计时5天」第二届集成电路产业与资本创新论坛 - 联盟动态中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

主办单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

会议背景

第二届集成电路产业与资本创新论坛

全天活动议程

主会场

第三代半导体专场

专家介绍

1.雷光寅，博士，复旦大学研究员，本科毕业于浙江大学，博士毕业于美国弗吉尼亚理工大学电力电子中心。曾在美国福特汽车公司全球研发中心与上海蔚来汽车工作十余年，负责新能源汽车电机控制器与三合一电驱系统前瞻技术开发。研究领域集中在功率半导体模块封装、新型电子材料、可靠性验证及失效分析，发表论文20余篇，获得30余项国际发明专利授权。

2.杨霏，博士，国家电网公司联研院教授级高工，中关村高端领军人才。专注于碳化硅外延材料及高压电力电子器件研究，主持国家863项目、国家重点研发计划项目、北京市科委项目及国家电网公司科技项目十余项，研制了1200V至6500V系列碳化硅二极管、MOSFET。主导制定团体标准2项，主持建立了全工艺的10kV高压碳化硅器件中试线，授权发明专利16项，译著2部。

3.许恒宇，博士，现任职于中国科学院微电子研究所、中国科学院大学研究生导师。2006 年毕业于四川大学，同年留学日本，先后于日本德岛大学、大阪大学和新日本无线株式会社开展碳化硅等宽禁带半导体器件研究。一直以来，主要从事碳化硅器件的仿真设计、工艺研发整合和可靠性失效机理分析等领域的工作。2011年归国后，致力于碳化硅器件在面向光伏逆变器、新能源汽车和智能电网应用领域提供技术服务和产品。

4.李赟，中国电子科技集团公司第五十五研究所副主任设计师，2007年入职中国电子科技集团公司第五十五研究所,主要从事化合物半导体外延工作。工作期间先后承担或参与"863"，"973"、“核高基”和重点研发计划等重大科研项目,重点推进SiC同质外延材料工程化应用。突破了大尺寸低缺陷SiC外延关键技术,建立外延工艺平台,实现SiC同质外延材料自主保障供应。基于自主外延的SiC材料，肖特基二级管系列产品实现批产, MOSFET产品技术成功建立,研制了国内首个20kV n沟道IGBT芯片。累计发表科技论文8篇(第一作者),授权发明专利15项(第一发明人),其中有2项PCT专利获欧盟授权。牵头编制行业标准2项(已发布),获得国防科技进步奖1次,电子学会技术发明奖1次。

5.彭同华，博士，研究员，2009年6月毕业于中国科学院物理研究所，现任北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理，江苏天科合达半导体有限公司总经理。长期从事第三代半导体碳化硅(SiC)晶体生长、加工、物性研究和产业化方面工作。申请发明专利40余项，获授权发明专利30项（含国际发明专利7项），发表学术论文20余篇。先后入选/荣获科技部“重点领域创新研究团队”，北京市“科技新星”人才计划，省部级科技进步一等奖，北京市大兴区“新国门”科技创新领军人才，“中国科学院科技促进发展奖”等。曾主持科技部科技支撑计划、863计划、北京市科委等国家部委、北京市10余项科技攻关项目。在碳化硅单晶衬底制备技术方面具有丰富的“产业化实战”经验。

参会须知

1.参会报名

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