意法半导体制造出首批 200毫米SiC晶圆

向200毫米晶圆的过渡，标志着支持汽车和工业市场的产能建设取得了里程碑式的进展

意法半导体宣布已在其位于瑞典 Norrköping 的工厂制造出首批200毫米（8英寸）SiC晶圆，用于下一代功率器件的原型开发。

向200毫米SiC晶圆的过渡，是意法半导体在汽车和工业领域客户项目产能建设上的一个重要里程碑，并将巩固意法半导体在颠覆性半导体技术方面的领先地位，该技术可实现更小、更轻、更高效的电力电子器件，并降低总拥有成本。

意法半导体首批200毫米SiC晶圆也属世界首创，质量非常高，成品率影响因素和晶体位错缺陷都极少。低缺陷是在意法半导体碳化硅公司（STMicroelectronics Silicon Carbide AB）（前身为 Norstel AB，意法半导体于2019年收购了它）在开发SiC晶体生长技术的卓越认知和专长这一基础上实现的。除了应对质量挑战之外，向200毫米SiC衬底过渡还需要在制造设备和整体支持生态系统的性能方面向前迈进。意法半导体与覆盖整个供应链的技术合作伙伴合作，正在开发自己的200毫米SiC制造设备和工艺。

意法半导体目前在其位于卡塔尼亚（意大利）和宏茂桥（新加坡）的晶圆厂中，用两条150毫米晶圆线生产其大批量 STPOWER SiC产品，并在其位于深圳（中国）和 Bouskoura（摩洛哥）的后端工厂进行组装和测试。这一里程碑是公司计划转向更先进、更具成本效益的200毫米SiC量产计划的一部分。此次过渡符合公司正在进行的计划，即到 2024 年建立新的SiC衬底工厂并在内部采购 40% 以上的SiC衬底。

"当我们的汽车和工业客户加速向其系统和产品的电气化过渡时，向200毫米SiC晶圆的过渡将为他们带来巨大的优势。”意法半导体汽车与分立集团总裁Marco Monti表示，“随着产品数量的增加，这对于推动规模经济很重要。在我们内部SiC生态系统的整个制造链中建立强大的专业知识，从高质量的SiC衬底到大规模的前端和后端生产，提高了我们的灵活性，并使我们能够更好地控制晶圆产量和质量的提高。”