【联盟动态之热点资讯】2021年三季度第三代半导体前沿汇编（上）

了解最新资讯，掌握市场行情，宽禁带联盟将以【热点资讯】专栏持续为大家呈现第三代半导体行业季度热点资讯，探索宽禁带半导体产业健康发展之路。

重大投融资及扩产要闻

1 中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地项目签约落户南京市江宁开发区

9月27日，中电科半导体材料有限公司（以下简称电科材料）与南京江宁经济技术开发区在江宁会展中心举行隆重的签约仪式，南京外延材料产业基地项目成功落户江宁开发区。

2 斯达半导拟募资35亿元用于多项功率器件扩建项目

8月15日晚，斯达半导发布公告称，拟募资35亿元用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目以及补充流动资金。

3 昭和电工斥巨资扩产SiC

昭和电工宣布，将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日圆资金，其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

4 4.15亿美元，碳化硅半导体领域再现并购案

智能电源和传感技术的供应商安森美半导体(Onsemi)宣布收购碳化硅(SiC)供应商GT Advanced Technologies，交易金额为4.15亿美元。该交易已获得onsemi和GTAT董事会的一致批准，预计将于2022年上半年完成。

5 SK Siltron将在美国扩大SiC晶圆生产规模

韩国企业集团 SK 集团的美国子公司 SK Siltron CSS LLC 计划投资近 3.03 亿美元在密歇根州扩大 SiC 晶圆生产。密歇根州的经济发展局批准了近 600 万美元的激励措施。

6 第三代半导体龙头基本半导体完成C1轮融资

9月17日，专注于第三代半导体碳化硅功率器件的深圳基本半导体有限公司完成C1轮融资，由现有股东博世创投、力合金控，以及新股东松禾资本、佳银基金、中美绿色基金、厚土资本等机构联合投资。

7 Cree：全球最大SiC（碳化硅）晶圆厂明年上线！

科锐CEO Gregg Lowe 表示，科锐在第四季缴出强劲的营收成绩单，因为客户比原先预期更早、更显著地提高产量。科锐有望于2022年初让全球最大SiC（碳化硅）晶圆厂上线，进而享有未来数十年的成长机会。

8 全国首条第四代半导体生产线落地山西！

据山西经济日报报道，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目已经进入试运行阶段，预计明年将达到1万支芯片的产能，将成为全国首条第四代半导体的生产线。

9 氮化镓厂商Transphorm宣布收购AFSW晶圆厂

据BUSINESS WIRE消息，氮化镓厂商Transphorm宣布，收购AFSW晶圆厂设施的100%权益。这笔交易标志着Transphorm及其现有的 AFSW 晶圆制造工厂向前迈出了一大步。据悉，这笔交易是通过GaNovation公司完成的，而GaNovation是Transphorm与JCP Capital最近成立的合资公司。

企业与市场动态

1 科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G

此次成功合作结合了科锐 Wolfspeed® 碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）中频功率放大器和 MaxLinear 超宽带线性化解决方案（MaxLin），可实现突破性的性能表现。这一新型解决方案增加了 5G 基站的无线容量，能够支持更多的并发用户并提高了数据传输速度。

2 三安集成加速打造射频前端方案一站式代工平台

近日，三安集成取得全球知名手机代工厂商富智康集团的声表面波（SAW）滤波器订单，标志着三安集成滤波器业务在模块客户和手机厂商客户的全面突破。去年4季度开始，三安集成SAW和TC-SAW滤波器出货量迅速攀升，从季度出货10kk到今年二季度一跃至单月出货超过10kk。随着手机终端厂商也开始采用三安滤波器产品，未来将有更多手机机型在射频前端部件实现全面“Sanan Inside（三安赋能）”。

3 青铜剑第三代半导体产业基地正在加速建设

据深圳特区报报道，青铜剑第三代半导体产业基地项目已完成基坑建设，施工方开始建设主体。预计该项目2023年4月建成投产，届时碳化硅器件年产能将达200万只。

4 东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能

为解决碳化硅器件可靠性问题，东芝开发了一种新型SiC MOSFET[2]器件结构，可同时实现高温下更高可靠性和更低功率损耗。当采用新器件结构的3300V芯片处于175℃[3]，高温下时，其电流水平是东芝现有器件结构的两倍以上，新器件结构可在没有任何可靠性损失的情况下良好运行，而且在室温下，3300V芯片的导通电阻比现有器件降低约20%，1200V芯片的导通电阻比现有器件降低约40%。

5 泰科天润生产线已通线，已进入试生产阶段

2021年7月22日，中共长沙市委常委、市委统战部部长谭小平，长沙市委统战部副部长、市工商联党组书记何惠风，长沙市工信局三级调研员裘毅、长沙市委统战部、长沙市工信局相关工作人员，长沙电视台媒体者等一行莅临泰科天润考察调研。目前泰科天润生产线已通线，已进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出货。

6 罗姆推出内置 SiC 二极管的新型混合 IGBT

ROHM 开发了集成 650V SiC 肖特基势垒二极管的混合 IGBT，即 RGWxx65C 系列（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR）。这些器件符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准。它们非常适合处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆 (xEV) 中使用的 DC/DC 转换器。

7 北京天科合达半导体股份有限公司入选国家工信部专精特新“小巨人”企业

工业和信息化部公示了国家第三批专精特新“小巨人”企业名单。北京天科合达半导体股份有限公司凭借突出表现，成功入选，获得国家级荣誉！

8 华微电子：积极布局，重点推进第三代半导体！

8月5日，华微电子在网上回复投资者提问。第三代半导体方面，公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。IGBT方面，公司IGBT有产能的最高电压为1350V，在研的最高电压为3300V。华微电子作为功率半导体龙头，近年来也把目光转向了第三代半导体领域。

9 贺利氏电子加入美国电力研究所，助力宽禁带功率器件产业化

贺利氏电子（Heraeus Electronics ）是电力电子行业封装材料的全球供应商，已加入美国电力研究所（ PowerAmerica Institute），以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。

10 比亚迪再创记录，碳化硅高歌猛进！

比亚迪汉第100000辆新车在深圳比亚迪全球总部重磅下线，成为产量最快突破10万辆的中国品牌中大型轿车。

11 士兰微上半年净利润暴增1306.52%！下半年将扩产多条生产线

2021 年上半年，公司营业总收入为 330,849 万元，较 2020 年上半年增长 94.05%；公司营业利润为 47,023 万元，比 2020 年上半年增加 50,099 万元；公司利润总额为 46,936 万元，比 2020年上半年增加 49,981 万元；公司归属于母公司股东的净利润为 43,082 万元，比 2020 年上半年增加 1306.52%。

12 罗姆与昭和电工强强联手，碳化硅热度高涨！

9月13日，昭和电工宣布与ROHM签订了功率半导体用SiC（碳化硅）外延片的多年长期供应合同。本次签订的合同是向制造SiC功率半导体的ROHM供应昭和电工制造的SiC外延片。

13 超51.9亿！ST与CREE扩大SiC长期供应协议

据科锐（Cree）官方消息，公司与意法半导体（ST）宣布扩大现有的多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议。科锐将在未来数年向意法半导体供应 150mm SiC 裸晶圆和外延片，协议总金额将扩大至超过 8 亿美元（约合人民币51.95亿元）。

14 II-VI ，利用GE的专利武装碳化硅，瞄准汽车市场

II-VI 将使用通用电气 (GE) 专利的碳化硅 (SiC)产品瞄准汽车半导体和模块市场。该战略旨在响应对 SiC 功率半导体的需求，例如电动汽车充电器和电机，在航空领域具有久经考验的稳定性。II-VI 还宣布对 SiC 半导体和模块生产进行大规模投资。

15 盛美半导体推出首台应用于化合物半导体晶圆级封装的电镀设备！

8 月 26 日，半导体制造与先进晶圆级封装领域设备供应商，盛美半导体设备发布了新产品 ——Ultra ECP GIII 电镀设备，以支持化合物半导体 (SiC, GaN) 和砷化镓 (GaAs) 晶圆级封装。

16 比亚迪e平台3.0标配SiC电控，续航里程最大可突破1000km

9月8日，比亚迪正式发布e平台3.0，比亚迪表示，这是应对下一代电动车开发的专属纯电平台，拥有优异高带宽特性，轴距范围为2.5m至3.5m，为覆盖紧凑型到大型车的未来出行新物种，全系车型均搭配刀片电池，并标配全球首款联产八合一电动力总成，综合效率高达89%，百公里加速快至2.9s，续航里程最大可突破1000km。

17 英飞凌和松下加速 GaN 的发展

英飞凌科技公司和松下公司已签署一项协议，共同开发和生产第二代 (Gen2) 经验证的 GaN 技术，提供更高的效率和功率密度水平。英飞凌的高性能、高可靠性以及8英寸GaN-on-Si晶圆生产能力，标志着英飞凌对GaN功率半导体不断增长的需求进行了战略性拓展。

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