10亿SiC项目开工；2个月新增7个项目

最近，中科钢研投资超10亿元的碳化硅项目正式开工。

据不完全统计，近两个月来，国内多家企业发布建设碳化硅新项目的消息，包括英唐智控、富康达及爱思威等。其中，爱思威将投资160亿元建第三代半导体产业园项目。

中科钢研：

20亿项目开工

前段时间，“三代半风向”报道了中科钢研在山东菏泽布局2个碳化硅项目（.点这里.），一个月不到，该项目正式开工了。

据“今日菏泽”消息，12月18日，中科钢研高纯碳化硅粉和智能高端装备制造项目开工仪式在菏泽经济开发区举行，计划建设两个“总部+生产+研发”三合一项目，投资额均超10亿元。

此前，《菏泽日报》11月18日报道称，中科钢研参与菏泽市的集中签约，在当地布局高纯碳化硅粉和高端装备系统项目。

爱思威160亿，

英唐智控、Ferrotec等新增6个项目

三代半发现，最近两个月英唐智控等6家企业也宣布将建碳化硅项目。

▲ 12月12日，英唐智控公告称，与中唐发展、英盟科技计划通过合资设立项目公司“四川英唐芯科技有限公司（暂定名）”，同时投资5亿元在成都建设“英唐半导体产业园”项目。

该项目公司计划对外投资3个项目，其中包括：计划投资约18.1亿元建设年产72万片的FAB 6英寸特色(含SiC)工艺线，预计2023年10月建成投产，2025年1月实现达产。

▲ 12月3日，“漳州国家高新区”官微宣布与富康达（厦门）股权投资有限公司签订项目投资框架协议书，计划在漳州高新区建设SiC产业园和第三代半导体模组等项目。

根据框架协议书，该项目先期拟租用厂房用于投资建设芯片设计、第三代半导体模组生产线。此后将建设海峡两岸（漳州）电子信息产业园，主要从事第三代半导体材料SiC晶体和SiC/ EPI长晶、功率半导体电子器件的制造、SiP封装，同时建设半导体技术研究院及微电子技术学院。

▲ 11月30日，“大和热磁”官微消息，Ferrotec集团在上海宝山举行了“中国总部暨汉虹二期建设工程项目”开工奠基仪式。其中，投资5亿元建设的“碳化硅晶体生长及切磨抛设备项目”，将年产碳化硅晶体生长设备300台、碳化硅切磨抛设备70台。

▲ 11月26日，据《吉林日报》报道，今年，长春市全市新落位项目286个，其中包括总投资160亿元的广州爱思威第三代半导体产业园项目，拟投资145亿元的一汽奥迪新能源汽车项目等项目。

爱思威的项目将从碳化硅材料和芯片器件入手，面向5G基站、新能源汽车电源及充电桩、特高压电源等市场需求，目的是实现我国碳化硅晶圆器件国产化的目标。

▲ 11月17日，山西省审批通过了一个碳化硅项目。

根据审批公告，该项目的建设单位为山西天成半导体材料有限公司，项目投资额为3000万元，采用PVT法生长6英寸的碳化硅晶锭，预计正式投产后年产1500kg碳化硅晶锭。

▲ 11月15日，山西省公布了一中国电科集团的碳化硅项目。

根据公告，该项目的建设单位为西北电子装备技术研究所，即中国电科2所，该项目投资为9.184亿，计划开工时间为2022年4月。预计建成后具备年产600台（套）微电子制造装备、第三代半导体材料设备等生产能力。

项目新建建筑包括：第三代半导体创新中心（研发楼）、碳化硅装备事业部、碳化硅应用事业部等建筑，将新购设备及仪器24台（套）。

来源：第三代半导体风向