新品发布--用于12至48V GaN升压转换器的EPC演示板

500W DC-DC 板演示了Renesas 80V 两相同步升压控制器和最新一代 EPC eGaN FET

EPC 宣布推出 EPC9166，这是一款 500W DC-DC 演示板，可将 12V 输入转换为 48V 输出。

该演示板展示了Renesas ISL81807 80 V 两相同步升压控制器，它采用 EPC 的最新一代 EPC2218 eGaN FET，可在 500 kHz 开关频率的 12 V 输入至 48 V 稳压输出转换中实现超过 96.5% 的效率。

输出电压可配置为 36 V、48 V 和 60 V。该板无需散热器即可提供 480 W 功率。

稳压 DC-DC 升压转换器广泛用于数据中心、计算和汽车应用，在其他输出电压中，将标称 12 V 转换为 48 V 配电总线。主要趋势是朝着更高的功率密度发展。

据说 eGaN FET 具有快速开关、高效率和小尺寸，可以满足这些前沿应用的严格功率密度要求。EPC2218 是市场上体积最小、效率最高的 100 V FET。

ISL81807 是业界首款具有集成 GaN 驱动器的 80 V 双输出/两相（单输出）同步降压控制器，支持高达 2 MHz 的频率。ISL81807 使用电流模式控制，并生成两个独立输出或一个具有两个交错相位的输出。它支持电流共享、并行更多控制器/更多相位的同步、增强的轻负载效率和低关机电流。ISL81807 直接驱动 EPC GaN FET，确保设计简单、组件数量少和解决方案成本低。

EPC 首席执行官 Alex Lidow 评论道：“Renesas控制器 IC 使使用 GaN 变得更加容易。我们很高兴与Renesas合作，将其先进控制器的优势与 GaN 的性能相结合，为客户提供低组件数量的解决方案，从而提高效率、增加功率密度并降低系统成本。”

“Renesas ISL81807 旨在充分利用 GaN FET 的高性能来实现高功率密度解决方案。“Renesas移动、工业和基础设施电源部副总裁 Andrew Cowell 表示，“ISL81807 降低了 GaN 解决方案的 BOM 成本，因为它不需要 MCU、电流检测运算放大器、外部驱动器或偏置电源。它还受到全面保护并集成了 GaN 驱动器。对于ISL81807，使用 GaN FET 进行设计就像使用基于硅的 FET 进行设计一样简单。”

EPC 的 EPC9166 演示板单价 300.00 美元，可从 Digi-Key 立即发货。

来源：化合物半导体杂志