强强联手！罗姆与台达电子合作开发600V GaN元件

4月27日，罗姆宣布与台达电子就第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。

双方将利用台达多年来积累的电源开发技术与罗姆的功率元器件开发和生产技术，联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。

2022年3月，罗姆确立了栅极耐压高达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系，并将该系列产品命名为“EcoGaN™”，产品非常适用于基站和数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路应用，今后罗姆将继续扩大“EcoGaN™”的产品阵容，并致力于进一步提高产品性能。

今年2月，据日经新闻报道，罗姆将于2022年春季之前开始量产新一代GaN功率半导体，并首先供货5G基站。

据悉，罗姆新一代GaN功率半导体可提高供电效率和控制效率，具备三大主要特点：

（1）采用罗姆自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V；

（2）采用在电路板上易于安装且具有出色散热性的封装；

（3）相较于Si器件，开关损耗降低了65%。总的来说，新产品能承受150V电压，适用于数据中心和通信基站。

（文：化合物半导体市场 Amber整理）