【联盟动态】2022年8月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

2022年8月热点资讯汇编

【新品发布】

1. 东芝推出第三代SiC MOSFET，包含1200V和650V两种规格

8月30日消息，东芝宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。

2. 清纯半导体推出国内最低导通电阻的车用SiC MOSFET，并已通过车企测试

近日，国内SiC功率器件领先企业清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET 产品- S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。

据悉，S1M014120H具有业界领先的低导通电阻，其静态导通特性和动态开关特性均达到了国际一流水平，可应用于新能源汽车电机控制器、大功率充电模块、光伏逆变器以及大功率储能等领域。该SiC MOSFET的推出填补了国内该领域的技术和产品空白。

3. 中电科二所激光剥离设备实现大尺寸工艺迭代

激光剥离项目是中国电子科技集团公司第二研究所针对第三代半导体产业发展痛点与难点遴选的首批“揭榜挂帅”项目之一，国内多家科研团队踊跃组团揭榜，项目揭榜立项后，团队紧锣密鼓开展技术攻关，从工艺摸索到设备研制，成员夜以继日奋战在科研一线，放开手脚发挥创新潜能。功夫不负有心人，目前，团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离，取得突破性进展。

4. 瑞能半导体推出新一代1700V SiC MOSFET

瑞能最新推出的1700V SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单，成本更低的解决方案。瑞能为此1700V SiC MOSFET器件提供了参考设计 (图3)：

输入电压范围为200V-1000V, 输出可以同时提供24V, 15V, -15V等多路负载，满功率状态下可达60W。控制方式为采用模拟IC控制器的准谐振反激变换模式。此控制方式在全功率范围内实现了较高的效率水平，不同输入电压时该参考设计的效率数据，最高效率点接近90%。

5. 国产高端功率器件的进击：瑶芯微推出工业级大功率高压超级结MOSFET

为了帮助开关电源设备达到更高的能量密度和效率，瑶芯微推出的650V Super-Junction MOSFET AKS65N410WMF具有低Qg、低Rds(on)以及优良体二极管特性，可以实现高速开关、低开关损耗、低导通损耗，能显著降低开关电源的热量损耗。

【投资合作】

1. 联手思迈芯，润欣科技加大车规级芯片研发进度

润欣科技已与思迈芯签署《合作与投资意向书》。根据协议，思迈芯本轮的资金需求为1500万元人民币，润欣科技将向思迈芯支付500万元人民币（或等额美元）作为意向金，而在协议签署之日起30个工作日内，双方需完成有关车规级芯片设计规划与相关的商业合作，思迈芯还需配合润欣科技完成本次商业合作的相关产品定义和验证。双方的业务规划主要含两方面内容：车规级PWM隔离器（功率驱动SiC）、128/256 Array ADB聚光车灯模组。

2. 投资8亿元！长城签约第三代半导体模组封测制造基地项目

8月16日消息，长城控股集团与江苏省锡山经济技术开发区签约战略合作，长城旗下蜂巢易创第三代半导体模组封测制造基地项目落地锡山经济技术开发区，计划投资8亿元，规划车规级模组年产能120万套。据悉，第三代半导体模组将应用在新能源汽车的主逆变器与充电领域，助力长城汽车在电动化方向快速发展。

3. 英飞凌与II-VI签署SiC晶圆供应协议

近日，英飞凌和II-VI Incorporated签署了一份多年期碳化硅 (SiC) 晶圆供应协议。因此，这家总部位于德国的半导体制造商正在确保进一步获得这种战略性半导体材料，以满足该领域客户需求的强劲增长。该协议还支持英飞凌的多采购战略并提高其供应链弹性。第一批交付已经发生。

4. 纳微半导体宣布收购碳化硅公司GeneSiC

8月16日消息，纳微半导体官网宣布收购碳化硅公司GeneSiC Semiconductor，一家在 SiC 功率器件设计和工艺方面拥有深厚专业知识的先驱公司。根据公告，此次收购总对价包括：约1亿美元现金、2490万股纳微股票以及可能高达2500万美元的盈利支付。

5. LPE和A*STAR IME在8寸SiC领域展开合作

LPE和新加坡科技研究局(A*STAR)的微电子研究所(IME)宣布开展研究合作，以开发高质量的200mm SiC和特种外延工艺，包括提高生长速率和改善均匀性。根据合作，双方将利用LPE在SiC CVD反应器技术和SiC外延生长方面的知识，以及IME的研究能力和设施、200mm SiC中试工艺集成线和尖端材料表征设备。

6. 泰科天润：将在北京扩产建6-8吋SiC功率器件生产基地

8月20日，北京顺义消息，泰科天润半导体科技（北京）有限公司将在顺义区中关村顺义园三代半产业基地，建设办公研发总部基地及6至8英寸碳化硅功率器件生产基地，统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，支持商业模式创新和市场拓展。该项目用地面积2.67公顷，建筑规模4万平方米。项目建成后，将有利于完善顺义区第三代半导体产业链，推动顺义区产业结构的调整、转型和升级，预计带动就业500人。

7. 普兴电子：36万片SiC项目年底竣工

8月15日，据河北长城网报道，河北普兴电子的碳化硅搬迁项目将于今年年底全面竣工。总投资5亿元，主要建有生产车间、办公研发楼、动力站等。项目投产后，普兴电子将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），预计可达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。

【企业/科研院所动态】

1. 郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应

近期，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展，研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是截止目前氧化镓半导体器件的最高值。相关成果以《Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3power diodes》为题发表于国际期刊《自然·通讯》（Nature Communications）。

2. 微电子所垂直沟道纳米晶体管研发工作再获重要突破

微电子所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队，在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上，提出并研发出了一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件（VCNFET）以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”，其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制，为大规模制造高性能器件奠定了坚实基础，研制出的硅基器件亚阈值摆幅（SS）以及漏致势垒降低（DIBL）分别为61mV/dec和8mV/V，电流开关比高达6.28x109，电学性能优异。

3. 联发科5G芯片让手机直接连接卫星实现5G通信！

日联发科宣布，搭载联发科具备5G NR NTN卫星通信功能的测试芯片，日前于实验室环境中连线测试成功，可望让智能手机直接透过卫星通信串连全球。象征着电信产业的重大变革，缔造通信史上重要里程碑。

4. 安徽长飞先进半导体有限公司在芜湖揭牌

7月28日，由上市企业长飞光纤光缆股份有限公司控股的安徽长飞先进半导体有限公司在芜湖揭牌，标志着芜湖聚力竞速第三代半导体“优质赛道”，向产业链更高层次、更高位置迈进。

【政策】

1. 科技部等九部门关于印发《科技支撑碳达峰碳中和实施方案（2022—2030年）》的通知

为深入贯彻落实党中央、国务院关于碳达峰碳中和的重大战略决策，做好科技支撑碳达峰碳中和相关工作，依据《中共中央 国务院关于完整准确全面贯彻新发展理念做好碳达峰碳中和工作的意见》《2030年前碳达峰行动方案》，结合碳达峰碳中和领域科技创新工作新形势新情况，科技部、国家发展改革委、工业和信息化部、生态环境部、住房城乡建设部、交通运输部、中科院、工程院、国家能源局共同研究制定了《科技支撑碳达峰碳中和实施方案（2022—2030年）》。

科技部等九部门关于印发《科技支撑碳达峰碳中和实施方案（2022—2030年）》的通知

2. 瞄准第三代半导体等领域，江苏发布利好

近日，《江苏省“十四五”高新技术产业发展专项规划》印发，在第三代半导体产业方面，抓住第三代半导体材料技术加速兴起机遇，发挥我省电子信息产业市场规模大、产业链配套全和应用场景多的基础优势，以建设国家第三代半导体技术创新中心为 契机，重点加强第三代半导体应用新技术新产品的研发，培育壮大第三代半导体产业。到2025年，争取在南京、苏州、南通等地，打造国内领先、国际先进的第三代半导体产业基地，将我省先发布局优势转变为产业领先优势，力争综合实力国内领跑，关键环节国际领先。

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