镓仁半导体：成功实现VB法8英寸氧化镓单晶生长

2025年12月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)成功实现垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化镓单晶生长，8英寸等径长度可达20mm。这一成果的落地，不仅为2025年的工作划上圆满句号，更印证了公司在氧化镓领域的核心竞争力：作为全球首个实现多技术路线、多晶面8英寸氧化镓单晶制备的领先厂商，镓仁半导体凭借一系列原创性技术突破，确立了在全球氧化镓材料领域的行业引领地位。

图1 镓仁半导体VB法8英寸氧化镓晶锭

年度回顾

2025年3月，镓仁半导体采用自主研发的铸造法制备出全球首颗8英寸氧化镓单晶并加工出相应尺寸单晶衬底，展示了在材料尺寸突破方面的技术能力。这一成果标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录。镓仁半导体也凭借着这项举世瞩目的成果获得了 “2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”、“浙江省科技厅2025年度重大科技成果”、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”等一系列重要奖项，成为氧化镓领域的领先厂商。

回望全年，镓仁半导体的突破并非一蹴而就。公司的技术发展，沿着一条清晰而扎实的路径演进。

2025.01

镓仁半导体采用垂直布里奇曼法（VB法）成功生长出4英寸氧化镓单晶，这是国内首次实现该项技术突破。

2025.03

镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶生长，并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。

2025.06

镓仁半导体使用垂直布里奇曼法（VB法）制备出100毫米(010)面氧化镓单晶衬底，属国际上首次报道；同月，镓仁半导体在氧化镓晶体生长与加工技术方面取得了新突破，成功实现晶圆级6英寸斜切氧化镓衬底的制备

2025.09

镓仁半导体的8英寸氧化镓衬底通过了深圳平湖实验室及马尔文帕纳科亚太卓越应用中心两家知名机构的检测，充分证明8英寸晶圆衬底的优异质量。

2025.10

镓仁半导体采用垂直布里奇曼法（VB法）成功实现了6英寸（010）面氧化镓晶体生长，且等径段长度超过40mm，达到国际领先水平；同月，镓仁半导体成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。

2025.11

镓仁半导体依托深厚技术积累，正式推出（011）晶面氧化镓衬底片新品，为功率器件制备提出全新方案。

2025.12

镓仁半导体正式推出“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，主力科研工作者高效探索；同月，镓仁半导体成功实现垂直布里奇曼法(VB法)8英寸氧化镓单晶生长，8英寸等径长度可达20mm。

VB法因在成本控制与规模化生产方面的潜力，被视为氧化镓产业化的重要方向之一。

本次VB法8英寸晶体的成功制备，是技术路径上的又一实质性进展，也使公司具备不同晶面8英寸单晶技术能力。镓仁半导体在2025年一年之内，实现了VB法氧化镓单晶尺寸从4英寸到6英寸直至8英寸的多次突破，既是镓仁半导体技术能力与研发积淀的综合体现，也是按照既定战略规划稳扎稳打后的厚积薄发。

未来展望

目前，镓仁半导体已在全球范围内率先实现多技术路线、多晶面的8英寸氧化镓单晶制备，成为该领域的领先厂商。

未来，镓仁半导体氧化镓材料的发展重点将逐步转向晶体质量提升、成本优化及下游器件验证等产业化环节。接下来，镓仁半导体计划与下游器件厂商开展联合评估，以推动材料在实际应用中的性能验证，协同推进国内氧化镓行业快速发展。

来源：镓仁半导体

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