进化半导体（深圳）有限公司全资子公司--苏州燎塬半导体有限公司--通过提拉工艺和热场的改进，成功基于“无贵金属工艺”（PMF-Precious Metal Free）制备出直径85mm ，即3英寸 (011)面 β-Ga2O3 掺锡n型导电单晶。

这是国际上首次报道基于“无贵金属”技术体系达到3英寸(011)晶体的纪录，也是目前国际上直拉工艺获得的最大(011)单晶。

图1 3英寸(011)面PMF工艺氧化镓晶体

氧化镓(011)晶面是日本NCT公司于2025年下半年推出的新型晶面，相较于主流的(001)晶面，(011)面对于产业应用有独特优势：

• 更低漏电：(001)面易形成线状位错，导致漏电流增大和击穿电压降低，而(011)面可减少位错对垂直电流方向漏电的影响。
• 更大耐压：(011)面更易制备高品质厚外延（漂移层），使器件耐压更高，而且易制备界面品质更高的欧姆接触，进一步提升耐压特性。

尤其值得注意的是，考虑到当前氧化镓衬底主要是通过导模法（铱）、铸造法（铱）、VB法（铂铑）等贵金属技术体系制备的，而近期铱已突破1850元/克，铂突破480元/克，铑近3000元/克，进化半导体布局的PMF无贵金属工艺技术路线（不使用铂/铱/铑等贵金属），前瞻性更为突出，已开始显现产业化优势。

图2 铱价格变动

图3 铑价格变动

图4 铂价格变动

历程回顾：技术积累的持续突破

此次成果的取得，是进化半导体在氧化镓领域持续深耕的结果。回顾过去数月，进化半导体已多次发布突破性进展：

• 2025年9月： 实现40μm晶圆级氧化镓同质厚外延，采用(100)偏6度面方案，兼顾大尺寸制备与制程适配性，外延层厚度达国内领先水平。
• 2025年11月： 2英寸氧化镓衬底腐蚀坑密度（EPD）降至46个/cm2，相比其他工艺体系降低2~3个数量级，实现几近“零位错”的品质突破，大幅提升下游用户良率潜力。
• 2025年12月： 成功制备4英寸(010)面β-Ga₂O₃掺铁半绝缘晶体，创下直拉工艺获得的最大(010)单晶纪录，展现PMF工艺的大口径化能力。

从2英寸到4英寸，从(010)面到(011)面，从低位错衬底到厚膜外延，进化半导体在短短数月内实现了多维度、多晶面的系统性突破，充分证明了其“PMF无贵金属工艺”技术体系的成熟度和可扩展性。

来源： Evolusia进化半导体

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。