宽禁带联盟2026年度第二次团标评审会顺利召开 - 联盟动态中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

2026年4月28日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2026年度第二次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。

本次会议就以下六项标准开展了评审工作：

1. 《碳化硅长晶用多孔石墨材料》（送审稿评审）

2. 《碳化硅外延片表面缺陷测试拉曼光谱法》（草案评审）

3. 《碳化硅单晶抛光片包裹物检测暗场成像法》（征求意见稿评审）

4. 《碳化硅单晶抛光片边缘缺陷检测反射和透射偏振法》（征求意见稿评审）

5. 《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》（修订评审）

6. 《碳化钽涂层表面金属含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法》（立项评审）

会议现场

本次会议汇集了来自中国科学院半导体研究所、中国科学院电工研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、深圳平湖实验室、中国标准出版社、中材人工晶体研究院有限公司、天津理工大学、山东大学、吉林师范大学、湖南泰坦未来科技有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、苏州镓和半导体有限公司、山东粤海金半导体科技有限公司、嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司等单位的20余位标委会委员、行业专家及企业代表。

起草单位进行标准汇报

会议开始，宽禁带联盟秘书长刘祎晨介绍了参会代表及标准评审规则。在随后的标准评议环节，各起草单位代表依次针对上述6项团体标准稿件进行了详细阐述。评审专家组立足产业实际需求与标准科学性原则，围绕标准文本的严谨性、技术方案的可落地性、测试方法的实际适配度、修订内容的完整性以及立项标准的创新价值等多个维度，与起草团队开展了多次细致探讨与交流。

经审议，本次会议讨论的《碳化硅长晶用多孔石墨材料》等5项标准，分别通过了相应阶段的评审；《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》也顺利通过立项评审。