团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》正式发布 - 公告通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

2026年5月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》。该标准于2025年6月正式立项，历经近12个月的深入调研、多轮试验验证和跨单位比对研讨，以技术深度和产业适用性为核心，确保每项技术指标均经过充分实测和严谨论证，按照团体标准制定程序严格完成起草、征求意见、技术审查和报批。

多孔石墨是物理气相传输法（PVT法）碳化硅晶体生长过程中不可或缺的关键基础材料。在碳化硅长晶时，多孔石墨用于分隔原料区和长晶区，通过其连续贯通的均匀孔隙结构对原料气体进行分布和过滤，调控Si/C比，减少碳包裹，同时优化长晶区域温度梯度，从而有效降低晶体缺陷，提高晶体生长质量和良率。本标准的发布，为碳化硅长晶用多孔石墨材料的生产和质量控制提供了统一技术依据，有助于提升碳化硅衬底产业链的稳定性和一致性，并将进一步规范和促进我国宽禁带半导体材料的质量评价及关键辅材产业发展，对推动产业链上下游协同创新具有积极作用。

本文件规定了碳化硅长晶用多孔石墨材料的分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等。其中对块状坯材和加工制品的体积密度、抗折强度、电阻率、孔隙率、平均孔径、孔径分布、透气率及杂质含量等关键指标提出了明确要求，填补了国内该领域团体标准的空白。