《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》等两项团体标准正式发布

近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》、《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》两项团体标准。上述标准于2026年6月3日正式发布，并将于2026年6月9日起实施。

碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体的核心材料，其晶体生长质量直接决定了下游器件的性能与可靠性。《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》标准规定了用于碳化硅晶体生长的碳化硅粉体料的纯度、粒径分布、表面金属杂质含量等关键指标及其对应的测试方法，为碳化硅晶体生长提供统一的原料质量基准；《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》标准建立了采用电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）技术定量分析包装材料中金属杂质含量的标准化流程，可有效避免包材引入的二次污染，保障碳化硅材料全链路的纯净度。

两项团体标准的发布，将为碳化硅晶体生长用粉体料的质量控制及生产过程中的包材金属杂质检测提供权威技术依据，进一步提升碳化硅衬底和材料的品质一致性，对推动宽禁带半导体产业链上游关键辅材的标准化发展、促进上下游协同创新具有积极作用。

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中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟将持续推进团体标准体系建设，紧密围绕产业发展需求，推动科技创新与标准融合。截至目前，联盟已发布团体标准31项，在研标准13项，欢迎产业链各相关单位积极参与标准研制工作，共同推动宽禁带半导体产业高质量发展。