图4:(a-b)样本1的GaN-金刚石界面的剖面图;(c-d)样本2的GaN-金刚石界面的剖面图 科学文献中报道的GaN-金刚石界面的TBC测量值较高,而且会受中间层厚度的影响。由于界面无序而且有缺陷,GaN-金刚石表现出弱温度依赖性。该器件的建模显示出它具有较大的GaN-金刚石TBC(>50MW/m2-K),因而可以充分利用单晶金刚石的高导热率。其应用范围涵盖国防(雷达和卫星通信)和商业(能源基础设施、自动汽车和5G基站)。 (原文刊登于ASPENCORE旗下EEtimes英文网站,参考链接:GaN-on-Diamond For Next Power Devices。)