SiC上生长AlN

AlN也是不错的材料，可以制造UV-LED。虽然AlN同样是通过PVT生长大单晶，但是现在商业化的尺寸为2英寸。所以，商用的生长AlxGa1-xN的衬底一般是Al2O3或者SiC，其中Al2O3在透过和成本上有优势。

AlN的生长条件与SiC接近，相图和化学方程式如下，温度在2000-2200℃，坩埚为W或者TaC，但是两者没法通过PVT生长直接形成固溶体【Crystal growth of mixed AlN–SiC bulk crystals】。

AlN的生长条件与SiC的主要不同有两点：AlN原料会完全生成气体，AlN与传统高温坩埚的相容性差。

使用SiC衬底时，Si面会比C面好生长AlN，生长出来的面为Al面，背面为N面；偏轴衬底（台阶流）也有利于降低缺陷（极性面错误生长N-polar inversion domains）。

使用4H-SiC衬底可以长到28mm，5mm厚，FWHM=100arcsec。

参考文献

Review—Status and Challenges in Hetero-epitaxial Growth Approach for Large Diameter AlN Single Crystalline Substrates

Similarities and differences in sublimation growth of SiC and AlN

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