Odyssey筹集500万美元开发垂直结构高压GaN器件

美国初创公司计划在2021年底之前为客户提供其垂直导电GaN产品的样品

Odyssey Semiconductor Technologies是一家美国公司，致力于开发垂直导电高压GaN功率器件，该公司已经筹集了500万美元（125万股，每股4.00美元）的普通股定向增发，以资助其技术的进一步开发和生产。

“我们欢迎新股东加入Odyssey Semiconductor，欢迎他们支持我们为电动汽车等应用实现更高效、更紧凑的电源转换。”Odyssey Semiconductor董事长兼首席执行官Alex Behfar表示，“全世界都在关注清洁能源和电力的采用，我们为我们的技术可以为行业带来的进步感到兴奋。”

基于垂直导电的GaN功率器件的性能优于使用硅和SiC制造的其他器件，但事实证明，使用标准方法很难制造它们。因此，GaN功率器件一直被归结为水平导电的低压、消费类电子产品。Odyssey已经开发了专有的GaN处理技术来生产高压功率开关器件，该器件将打破电动汽车、太阳能逆变器、工业电机和电网等应用的长期性能障碍。

根据该公司的说法，在GaN衬底上生长的垂直导电GaN器件，单位面积的缺陷减少了约1000-10,000个，从而可以在高达10,000 V或更高的电压下可靠地运行。GaN器件的管芯尺寸要小得多，即使GaN衬底价格更高，它们相对于具有相似额定值的SiC器件也具有竞争力。

该公司计划在2021年底之前为客户提供垂直导电GaN产品的工程样品，并根据联合电子器件工程委员会（JEDC）标准开始资格认证。

Odyssey半导体公司最近还通过其代工服务扩大了客户群。Odyssey团队在支持各种半导体应用（包括功率器件、集成光电、化学传感和光谱学）方面拥有丰富的经验。该公司为客户提供从原型生产到全面代工的支持。

Odyssey总部位于纽约州伊萨卡市，在那里拥有并经营着一个面积达10,000平方英尺的半导体晶圆制造厂，拥有1,000级和10,000级的洁净空间以及先进的半导体开发和生产工具。