2021年7月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿

1、科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G

GaN-on-SiC 和高度有效线性化技术的采用，可以实现更高效率的无线传输，带来显著的功率、散热和成本等方面节约，从而加快 5G 的部署。科锐高效率 GaN-on-SiC 功率放大器与 MaxLinear 高度有效线性化解决方案相辅相成，可为 5G 应用所需的大规模 MIMO 射频节省数百瓦的功率消耗。

2、青铜剑第三代半导体产业基地正在加速建设

据深圳特区报报道，青铜剑第三代半导体产业基地项目已完成基坑建设，施工方开始建设主体。预计该项目2023年4月建成投产，届时碳化硅器件年产能将达200万只。青铜剑第三代半导体产业基地被列入深圳市2021年重大项目清单，是深圳加快第三代半导体产业发展的布局。该基地将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等，最终形成国内领先的具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。

3、东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能

为解决碳化硅器件可靠性问题，东芝开发了一种新型SiC MOSFET器件结构，可同时实现高温下更高可靠性和更低功率损耗。当采用新器件结构的3300V芯片处于175℃，高温下时，其电流水平是东芝现有器件结构的两倍以上，新器件结构可在没有任何可靠性损失的情况下良好运行，而且在室温下，3300V芯片的导通电阻比现有器件降低约20%，1200V芯片的导通电阻比现有器件降低约40%。

东芝新型肖特基势垒二极管内嵌式MOSFET器件结构

4、工信部等十部门印发《5G应用“扬帆”行动计划（2021-2023年）》

工业和信息化部、中央网络安全和信息化委员会办公室、国家发展和改革委员会、教育部、财政部、住房和城乡建设部、文化和旅游部、国家卫生健康委员会、国务院国有资产监督管理委员会、国家能源局等十部门近日联合印发《5G应用“扬帆”行动计划（2021-2023年）》，明确到2023年，我国5G应用发展水平显著提升，综合实力持续增强。打造IT（信息技术）、CT（通信技术）、OT（运营技术）深度融合新生态，实现重点领域5G应用深度和广度双突破，构建技术产业和标准体系双支柱，网络、平台、安全等基础能力进一步提升，5G应用“扬帆远航”的局面逐步形成。

5、国内再添两个集成电路学院

7月14日，华中科技大学集成电路学院揭牌成立！华中科技大学教授缪向水担任集成电路学院院长。

7月15日，北京大学集成电路学院成立仪式在北京大学英杰交流中心阳光大厅举行。

据了解，全国仅有清华大学、北京大学和华中科技大学三家高校同时获批未来技术学院和国家集成电路产教融合创新平台。

6、上海再出新政！加快第三代化合物半导体发展

据财联社，上海市人民政府办公厅印发《上海市先进制造业发展“十四五”规划》，提出要推动骨干企业芯片设计能力进入 3 纳米及以下，加快第三代化合物半导体发展等。该规划提出，以自主创新、规模发展为重点，提升芯片设计、制造封测、装备材料全产业链能级。在制造封测方面，加快先进工艺研发，支持 12 英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设，争取产能倍增，加快第三代化合物半导体发展。据了解到，不仅在芯片方面，该规划还在新能源车方面描绘出蓝图。规划提出，到 2025 年，显著提升新能源汽车产业竞争力，新能源汽车年产量超过 120 万辆，产业规模突破 3500 亿元。

7、工信部谈汽车芯片短缺：已组建汽车半导体推广应用工作组

工信部新闻发言人田玉龙表示，为了积极应对汽车芯片供应短缺问题，工信部组建了汽车半导体推广应用工作组，多次组织召开协调会，充分发挥地方政府、整车企业、芯片企业的力量，加强供需对接和工作协同，有针对性地制定措施，推动提升汽车芯片的供给能力，应该说正在取得一定的效果。

8、美国半导体行业协会：中国市场对于国际芯片公司的成功至关重要

7月13日，美国半导体行业协会发布白皮书，对中国半导体产业进行盘点。白皮书指出，中国市场对于任何一个具有全球竞争力的芯片公司在今天和未来的成功都至关重要，与中国扩大甚至完全脱钩将导致美国芯片公司的全球市场份额下降8%至18%，并建议美国应对半导体竞争应基于技术竞争力的提升以及供应链弹性的加强。

9、简化 GaN 中低水平 P 型掺杂的测量

GaN-MOSFET的优化一直受到这种功率晶体管中p型掺杂低水平测量困难的阻碍。但由于Oita大学和MieleTechnologies的日本团队的工作，这个问题不再存在。通过使用低温光致发光测量揭示镁基p型掺杂在非常宽的范围内的水平，这些研究人员开创了一种简单、无损和非接触的替代方法。

在低温下获得的光致发光光谱揭示了 GaN 中的 p 掺杂水平

10、日本展示新型氮化镓MEMS谐振器，具有高温度稳定性

据麦姆斯咨询报道，近日，日本世界顶级计划材料纳米结构学国际研究中心（WPI-MANA）研究团队展示了一种具有高温度稳定性的氮化镓（GaN）MEMS谐振器，该谐振器具有高频稳定性、高品质（Q）因子、与硅基IC技术大规模集成的潜力。这款新型氮化镓（GaN）MEMS谐振器在硅衬底上制造而成，具有几个ppm/K的低频率温度系数（TCF）和高品质因子（温度高达600K都不会退化）。

11、世界首套！中国时速600公里的高速磁浮正式下线

我国在高速磁浮领域取得重大创新突破。7月20日，由中国中车承担研制、具有完全自主知识产权的我国时速600公里高速磁浮交通系统在青岛成功下线，这是世界首套设计时速达600公里的高速磁浮交通系统，标志着我国掌握了高速磁浮成套技术和工程化能力。它的成功研制，对于打造我国高端装备产业新引擎，形成轨道交通领跑新优势，抢占科技竞争制高点，加快构建现代化综合立体交通网、支撑“科技强国”“交通强国”战略具有重大而深远的意义。

12、GaN在石墨烯上的外延生长

吉林大学张源涛教授研究团队联合北京大学王新强教授、山东大学陈秀芳教授和郑州大学史志锋副教授成功在石墨烯/SiC衬底上实现了应变弛豫GaN薄膜的外延生长，并发现了其在长波长LED中的应用潜力。该研究表明，石墨烯插入层显著降低了GaN薄膜中的双轴应力，从而有效提高了其上InGaN/GaN量子阱中In原子并入，进而导致量子阱发光波长红移。该方法为解决外延材料与衬底之间的失配问题提供了新思路，有助于发展高性能长波长的氮化物光电器件。相关结果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”为题发表于国际顶尖学术期刊《Light: Science & Applications》。

13、华为入局氮化镓快充市场，2021或迎GaN快充爆发期？

7月28日，华为商城上架了其首款65W 1A1C氮化镓（GaN）超级快充充电器。7 月 29 日到 31 日开启抢购，31 日之后发货。据悉，华为这款充电器发布于去年9月，单口最大充电功率 66 W，双口组合输出总功率最大为 62.5 W Max。兼容 SCP、FCP、PD3.O/PPS (仅 USB-C 橙色口支持) 及 QC 2.0 充电协议的手机、平板、笔记本电脑 (使用 USB-C 口充电)、蓝牙耳机、手表手环等设备充电。现今，下游行业对对半导体材料性能要求不断提高，需求仍在快速增长，GaN芯片在消费电子充电器领域中渗透率不断提升，市场高速增长。

TrendForce集邦咨询研究预计， GaN 器件会持续渗透至手机与笔电配件。2021年， GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元，年增长率达到 90.6%。年增率在 2022 年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。2021或许可以迎来GaN快充的爆发期。

14、扩产能，降成本！意法半导体制造首批200mm碳化硅晶圆

意法半导体（简称ST）宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了ST在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。

15、罗姆推出内置 SiC 二极管的新型混合 IGBT

ROHM 开发了集成 650V SiC 肖特基势垒二极管的混合 IGBT，即 RGWxx65C 系列（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR）。这些器件符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准。它们非常适合处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆 (xEV) 中使用的 DC/DC 转换器。