化合积电公司金刚石基氮化铝产品发布

化合积电自主研发生产的金刚石基氮化铝(AIN on Diamond)，作为金刚石与氮化镓的缓冲层，具有均匀性好，可简化外延生长步骤，降低成本，减小异质衬底与外延层的晶格失配性等独特显著优势，为实现高质量GaN/AlGaN材料的外延制备提供保障。

AIN on Diamond 生长工艺流程图

产品参数

说明：上述参数值随实际使用的检测设备或软件不同会略有差别

表征结果（200nm为例）

1.氮化铝薄膜SEM图（50K）

2.金刚石基氮化铝AFM形貌图，Ra 为 1.74 - 2.84nm

3.金刚石基氮化铝（0002）XRD摇摆曲线，FWHM约为2.915°

来源：化合积电