TNSC和北卡罗来纳州立大学将在GaN方面展开合作

为期三年的协议将致力于研究方法和设备解决方案，以实现先进的基于氮化镓的光电、光子和电子器件

大阳日酸株式会社(TNSC)和北卡罗来纳州立大学 (NC State) 宣布了一项为期三年的协议，将在方法和设备解决方案方面进行合作，以实现先进的基于 GaN 的光电、光子和电子器件。

由TNSC提供支持和专业知识，北卡罗来纳州立大学将使用 TNSC SR2000 MOCVD 反应器进行研发。这项为期三年的合作的目标是通过结合互补的设备、工艺和器件专业知识，推进基于 GaN 的器件外延和器件技术的发展。

“大阳日酸非常自豪能够与北卡罗来纳州立大学签订合作协议。北卡罗来纳州在宽带隙器件和技术开发和商业化方面享有盛誉。大阳日酸期待与 Fred Kish 教授、北卡罗来纳州立大学的工作人员和学生，以及与北卡罗来纳州纳米加工设施合作的外部公司合作。”TNSC公司负责人Kunihiro Kobayashi说。

北卡罗来纳州立大学是宽带隙和超宽带隙材料和器件领域的领先机构。该大学在宽带隙技术的开发和商业化方面一直处于领先地位。

“北卡罗来纳州立大学很荣幸能与大阳日酸签订这项合作协议，” M.C. Dean电气和计算机工程杰出教授兼北卡罗来纳州纳米制造设施主任Fred Kish说，“随着 TNSC MOCVD 系统的加入，北卡罗来纳州立大学现在是为数不多的拥有这种最先进材料生长能力的研究机构之一。与 TNSC 的合作将对实现下一代宽带隙和超宽带隙材料和器件的进展产生重大影响。”

随着 GaN 激光器和 LED 的应用不断扩大，TNSC 预计其 SR 和 UR MOCVD 平台将成为先进 GaN 光电制造的首选平台。

来源：CSC化合物半导体