II-VI加速对SiC的投资

宾夕法尼亚州和瑞典工厂的大规模扩建将使衬底和外延片生产受益

宽禁带半导体制造商 II-VI 正在加速投资 150 毫米和 200 毫米 SiC 衬底和外延片制造，在美国宾夕法尼亚州伊斯顿（Easton）和瑞典基斯塔（Kista）进行大规模工厂扩建。这是该公司先前宣布的未来 10 年对 SiC 投资 10 亿美元的一部分。

全球能源消费去碳化的紧迫性正在加速“万物电气化”，并随着SiC的采用推动了电力电子技术的巨变，SiC 是一种宽禁带材料，与基于硅的电力电子子系统相比，可实现更高效、更紧凑的电力电子子系统。为了满足全球对 SiC 电力电子产品不断增长的需求，II-VI 将在伊斯顿扩建近 30万平方英尺的工厂，以扩大其最先进的 150mm 和 200mm SiC 衬底和外延片的生产。

预计到 2027 年，伊斯顿 150毫米衬底产量将达到每年 100 万片，200毫米衬底的比例会随着时间的推移而增长。基斯塔的外延片产能扩张旨在服务于欧洲市场。

“我们的客户正在加快他们的计划，以应对电动汽车中对 SiC 电力电子器件的预期需求潮，我们预计这种需求将紧随工业、可再生能源、数据中心等领域目前的采用周期而来，”新风险投资和宽禁带电子技术执行副总Sohail Khan说，“伊斯顿工厂将在未来五年内将 II-VI的 SiC 衬底产量提高至少 6 倍，它还将成为 II-VI 的 200 毫米 SiC 外延片旗舰制造中心，是全球最大的制造中心之一。”

II-VI 将使用其在基斯塔开发的行业领先的外延片技术。该技术的不同之处在于它能够在单个或多个再生长步骤中实现厚层结构，非常适合 1 kV 以上应用中的功率器件。

伊斯顿工厂将由一个基于燃料电池技术的不间断且可扩展的微电网供电，以提供高供应保证。

来源：CSC化合物半导体