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摘要: 肖特基二极管因为几乎没有反向恢复trr。因此,可以在很高开关频率下运行,而VF又非常小,受到电源工程师的广泛青睐。不过,因为反向漏电流IR大,如下图1 所示,所以不适合用作高耐压元件,通常最高耐压可达200V。图1 ...

肖特基二极管因为几乎没有反向恢复trr。因此,可以在很高开关频率下运行,而VF又非常小,受到电源工程师的广泛青睐。不过,因为反向漏电流IR大,如下图1 所示,所以不适合用作高耐压元件,通常最高耐压可达200V。

「成员风采」瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管

图1:不同二极管的静态输出特性

瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管,电压范围覆盖45V/65V/100V/150V,产品组合丰富,多种封装 TO220/TO220F/ DPAK 可供客户选用。

G3 肖特基二极管,采用新一代的 TMBS 结构设计,实现超低VF和较小IR的完美组合,可以广泛应用于高频 SMPS 电源,PC适配器,照明,车载 DC/DC 转换器。

G3 肖特基二极管的市场应用

高频 SMPS 电源

适配器

照明

车载 DC/DC 转换器

G3 肖特基二极管的性能和优势

1TMBS 结构设计,实现超低VF和较小漏电流的完美组合

2低IR,最高结温可达150℃

3低VF,带来更低的功率损耗,提高系统的效率

4较强的正向浪涌冲击能力

5覆盖 45V/65V/100V/150V 的工作电压范围

6丰富的产品组合,提供有多种封装可供选择:TO220/TO220F/DPAK


静态特性对比

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图2:G3 SBD 在125℃的IF-VF特性

图2 给出了G3 SBD 在125℃的IF-VF特性。我们选择了一款市面上通用的45V 30A 肖特基二极管竞品A,作为瑞能 WN3S3045C 的对比对象。

在125℃,15A的电流条件下,竞品A的导通压降为0.53V,而瑞能第三代肖特基 WN3S3045C导通压降仅为0.47V。

和竞品A相比,WN3S3045C 降低了11.1%的导通压降,带来更低的功率损耗,提升系统的效率。

效率测试

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图3:DC/DC电源在不同负载条件下效率对比

我们在一款 DC/DC 电源上进行了对比测试。在效率对比测试中,除了更换测试用的肖特基二极管,其他的条件均不变。测试环境采用DC/DC 电源,输入电压为310VDC ,输出电压 (VOUT) 为3.3VDC,最大输出功率: 65W,拓扑结构:反激式电路,载波频率:100kHz。测试环境温度为25 ℃。

图3 给出了 DC/DC 电源在不同负载条件下效率对比。分别测试了25%负载到100%负载的系统效率以及系统损耗。从图3 可以看出,和竞品A相比,瑞能半导体的 G3 SBD WN3S3045C 在100%负载条件下,效率达到73.3%,效率显著提升。

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图4:满载条件下WN3S3045C的温升

「成员风采」瑞能半导体新推出第三代G3 肖特基二极管

图5:满载条件下竞品A的温升

图4 和图5 给出了满载条件下, WN3S3045C 和竞品A 的温升的情况,对比可以看出,在满载情况下,WN3S3045C 的温升比竞品A 降低了7℃,这主要得益于瑞能 G3 SBD 优异的超低导通压降VF的特性。

结论

瑞能G3 SBD 肖特基二极管,采用最新的 TMBS 技术,实现超低VF和较小漏电流的完美组合,更低的正向导通压降VF,意味着更低的功率损耗,提升系统的效率,更低的漏电流,最高的结温可达150℃,并具有较强的正向浪涌冲击能力。

多种封装结构如采用行业标准TO220 封装,TO220F,DPAK 可以满足众多工程师不同设计的需求,并且所有封装类型均按照瑞能半导体高品质高标准要求进行测试,广泛满足工业应用要求,特别适合高频SMPS,电源适配器,照明电源,车载 DC/DC 转换器等应用。

瑞能G3 SBD 涵盖了 45V/65V/100V/150V 等电压等级范围,下方显示了瑞能第三代G3 SBD 肖特基二极管的器件列表。

后续还有 D2PAK 的封装即将面市。

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表1:瑞能第三代G3 SBD 肖特基二极管TO220 产品系列

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表2:瑞能第三代G3 SBD 肖特基二极管TO220F 产品系列

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表3:瑞能第三代G3 SBD 肖特基二极管DPAK 产品系列


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