1200V！又有车规级沟槽型SiC MOSFET

近日，韩国一家半导体企业宣布，他们也开发了1200V沟槽型SiC MOSFET器件，实现了车规级产品的本土化制造。

除了罗姆和英飞凌，国内外还有哪些企业和机构在开发沟槽型SiC MOSFET？今天，“三代半风向”给大家盘点一下。

韩国KEC：

已开发车规级沟槽型 SiC MOS

据韩媒4月4日报道，韩国KEC公司发布公告称，他们主导的韩国国家项目“电动汽车和新可再生能源用1200V沟槽型SiC MOSFET ”成功达到了性能要求。一位KEC负责人表示：“这项技术不仅要打入汽车和工业市场，还要打入门槛低的其他民生市场。”

KEC于1969年成立，是韩国非存储功率半导体制造企业。

据了解，在KEC获得该项目的研究成果之前，全球仅有两家公司能够量产1200V沟槽型SiC MOSFET。在沟槽型SiC功率半导体上，韩国100%依赖进口。因此，在2017年10月，KEC的“1200V沟槽型SiC MOSFET器件”项目被韩国政府选定为国家项目。据KEC负责人黄昌燮透露，该项目的开发周期为18个月，并获得了28.33亿韩元（约1470万人民币）的研究费用。

6家企业已量产

博世、日立等紧随其后

除韩国KEC外，据“三代半风向”的不完全统计，目前已经有6家企业量产了沟槽SiC MOSFET。

▲ 2015年，罗姆开始批量生产业界首个沟槽型SiC MOSFET，将导通电阻降低了40％。

▲ 2016年，英飞凌推出1200 V沟槽SiC MOSFET——CoolSiC MOSFET，其导通电阻额定值为45mΩ。

▲ 2016年，富士电机开发了沟槽结构SiC MOSFET，阈值电压5 V，导通电阻3.5mΩcm2。

▲ 2018年12月，住友电工已经开发出SiC VMOSFET，实现了1170V/0.63mΩcm2的低导通态电阻。

▲ 2019年9月，三菱电机宣布开发出沟槽型SiC MOSFET，导通电阻1.84mΩcm2，击穿电压超过1500V。

▲ 2020年12月10日，电装宣布开始批量生产SiC沟槽MOSFET。

● 博世

博世汽车电子高级副总裁 Ralf Bornefeld表示，十多年前，他们就将目光投向了具有垂直架构的SiC沟槽MOSFET，开发了一种称为博世工艺的高纵横比等离子蚀刻工艺，以在晶圆上形成深而陡峭的孔和沟槽。

● 日立

2021年4月，日立发布了一款号称“业界最节能”的TED-MOS沟槽结构的SiC MOSFET 。

● 西安交通大学

2021年12月，我国国产SiC MOSFET技术获得新突破——沟道迁移率提升近200%。西安交通大学联合西安电子科技大学的共同研究成果，不仅实现了高质量的SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性，更令人鼓舞的是，他们所提出的高效低温退火工艺与标准SiC MOSFET 制造工艺兼容，为制备高性能SiC MOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制备。

● 日本京都大学

2021年10月，日本京都大学官网宣布，他们成功开发一款沟槽型SiC MOSFET原型，通过独特的方法降低SiC的缺陷，晶体管性能提高了6倍以上。

由于沟道迁移率提高了6至80倍，因此600 V SiC-MOSFET的沟道电阻仅为现有产品的1/6以下。当与其他电阻元件结合时，整个SiC MOSFET的导通电阻可以降低一半左右，因此在额定电流相同的情况下，芯片尺寸可以减半，这将降低约60%的成本。

来源：第三代半导体风向