产业动态：4月12日，时代电气发布公告称子公司中车时代半导体拟4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。

工艺、产能同步调整

2013年中车开始着手建设碳化硅项目，当时拟投资2.9亿元组建4～6英寸SiC芯片模块封装及功率器件重点实验室、新购碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线等。计划建成后，形成年产1万片4英寸（可扩充到6英寸）碳化硅芯片的生产能力。

此前，中车SiC 产品开发团队已经完成了SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试，实现SiC二极管和MOSFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V SiC肖特基二极管功率芯片。

本次中车在公告中称：为提升公司在全国第三代半导体产业的影响力，占领第三代半导体产业高地，中车时代半导体经过充分调研和论证，拟在公司已经建成 SiC 芯片线的基础上，进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。中车时代半导体拟投资约4.62亿元人民币(最终投资金额以实际投资金额为准)实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。

据披露，该项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。

兼顾新能源汽车及轨道交通行业增长需求

据悉，时代电气在碳化硅器件领域已申请多项发明专利及发表多篇论文，完成了第一代技术产品的开发和技术积累，已形成成熟的 SiC 芯片产品”设计-制造-测试-模块”完整能力， SiC 产品在地铁、新能源汽车、光伏等市场领域均已实现应用示范。

时代电气表示，通过该次碳化硅产线改建扩产的实施，将形成面向新能源汽车、轨道交通方向的 SiC 芯片量产生产线，并进一步研发高性能的新产品，可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步，提升产业化水平。

从市场驱动力的角度来看，新能源汽车领域是SiC市场的最主要成长动能。同时，电动车渗透率不断升高，整车架构朝800V高压方向快速迈进，碳化硅芯片市场需求暴增。近日北京三安光电公司总经理陈昭亮在中国电动汽车百人会论坛上曾表示：2025年6寸碳化硅晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片，届时全球碳化硅衬底与晶圆将出现供不应求的局面。

实际上，中车时代半导体依托功率半导体市场的技术储备和丰富积累，已在SiC领域打造出自主领先设计与制造能力。

去年12月26日，中车时代电气发布了国内首款自主研发的碳化硅大功率电驱产品C-Power 220s，该产品系统效率最高可达94%，适配于高端轿车、SUV等车型。据悉，C-Power 220s电驱系统所搭载的碳化硅器件、电流传感器，均为中车时代电气自主研发。