缺陷降90%！垂直GaN新方向，博世已采用

据外媒报道，博世在采用一家GaN初创公司的外延技术开发垂直氮化镓器件。

据悉，这项技术的关键在于纳米线技术，可以采用硅衬底，可以将缺陷密度降低90%，因此能够以更低的成本打造1200V的GaN功率器件。据悉，他们已经获得了超过200万元的订单，未来还将扩展到8吋线。

降低90%缺陷密度

开发低成本垂直GaN器件

4月20日，外媒发布报道称，瑞典初创公司Hexagem正在瑞典Rise研究所的测试平台ProNano开发一种新的GaN垂直功率器件解决方案。

Hexagem是瑞典一家在硅片上开发氮化镓半导体的公司，于2015年创立。

据Hexagem首席执行官Mikael Björk，目前GaN-on-Si半导体每平方厘米有1亿个缺陷。“Hexagem技术可以做到接近每平方厘米1000万个缺陷。”亦即，可将缺陷密度降低90%。

根据该公司文献，作为该工艺的一部分，氮化硅缓冲层被沉积在硅晶片上，然后用孔阵列对其进行图形化，为无位错 GaN 纳米线的选择性外延生长做好准备。一旦纳米线生长出来，就会进行侧向外延生长以加宽纳米线，直到它们几乎相互碰撞，形成一个聚结的 GaN 层。

由于需要非常薄的缓冲层和聚结层，该方法可扩展到8英寸晶圆，成本低于标准技术，从而以具有竞争力的价格实现 1200V垂直GaN器件。获取文献请加微信：hangjiashuo666。

Hexagem目前采用的是2英寸硅晶圆，他们目标是采用6英寸以上的晶圆来降低成本，并计划在2022年生产10微米厚的GaN半导体，以帮助开发900-1200V器件。

营收超200万元

已与博世、英飞凌合作

据报道，2019 年Hexagem赢得了欧盟eleGaNt项目200 万欧元的资助，2020年Hexagem的销售额刚刚超过300万瑞典克朗（约205万人民币），2021年该公司从瑞典国有机构 Almi Invest 获得了400万瑞典克朗（约275万人民币）融资。

而且，该公司通过UltimateGaN 和 YESvGaN等其他欧盟项目，与英飞凌和博世建立了联系。

据媒体报道，Hexagem 已经通过一个欧盟联合项目与博世进行了合作。

来源：第三代半导体风向