超3亿元！3300V SiC MOS项目即将开建

7月20日，国联万众半导体官网公示了“碳化硅项目”的环评报告表。报告显示，该项目总投资3.13亿元，将于2023年1月1日开工建设。

据环评资料，该项目位于北京临空国际高新技术产业基地，总用地面积为3000平方米，主要研发 3300V SiC MOSFET 芯片及 3300V 高压功率模块封装技术，建设周期为五年。

“行家说三代半”发现，该项目的目标包括开发沟槽栅SiC MOSFET 芯片，还将开发氧化炉、减薄设备等。

此外，国联万众还在建设另一个碳化硅、氮化镓相关项目，主要产品包括6英寸 SiC、GaN 晶圆；GaN 功放模块；SiC功率模块及单管。

产能方面，第三代晶圆建成最终产能为12万件/年、GaN 功放模块为120万件/年、SiC功率模块及单管分别为2.4万件/年和1200万件/年。该项目预计 2022 年底完成验收，与上述研发项目开工时间（2023 年 1 月）同步。

北京国联万众半导体科技有限公司成立于 2015 年，是由中国电子科技集团公司第十三研究所、数字之光智慧科技集团有限公司等8家企业共同出资成立的混合所有制企业，其中中电十三所为实际控制人。公司主要为第三代半导体材料及应用联合创新基地建设运营基地，搭建公共平台，承担第三代半导体科技服务，构建产业生态系统。

来源：第三代半导体风向