清纯半导体SiC MOSFET获AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB考核

2022年9月29日清纯半导体1200V 75 mΩ SiC MOSFET通过第三方AEC-Q101车规认证并同时通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）加严可靠性考核。这是国内SiC MOSFET产品首次宣布同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核，标志着我国SiC MOSFET产品技术上已达到国际领先水平，保证了我国新能源车和光伏应用的持续领先。

AEC-Q101 是行业公认的车规元器件认证标准。对于1200V耐压器件，其在高压高湿高温反偏（H3TRB）考核标准中耐压通常为100V；而在HV-H3TRB考核中耐压提高到960V，因而对器件的设计、制造及封装技术提出了极高的挑战。通过了HV-H3TRB可靠性验证代表功率器件在极端运行环境下的优良耐受能力及使用寿命，因而其逐渐成为各大主流汽车及光伏储能厂家对高可靠性功率器件的通用要求。

清纯半导体对标国际一流的碳化硅（SiC）器件公司，研发生产新能源汽车及光伏等领域所需高性能、高可靠性的产品。

此前，清纯半导体还发布了国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品。它填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白，使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。并表示公司产品已经通过了车规级测试，且获得了国内领先新能源逆变器制造商的批量订单。

自公司成立以来，通过具有自主知识产权的独到技术持续优化SiC器件性能，致力于打造对标国际领先水平的系列产品。此次通过该车规可靠性认证，是清纯半导体继成功量产不同规格SiC MOSFETs（例如国内领先的15V驱动SiC MOSFETs和国内最低导通电阻的14毫欧SiC MOSFET）之后又一“里程碑”事件，恰值中华人民共和国成立73周年，清纯半导体仅以此作为国庆献礼，祝伟大的祖国繁荣富强永远昌盛。

来源：清纯半导体