Si沟槽IGBT & SiC MOSFET

* Vol.123

报告主题：Si沟槽IGBT & SiC MOSFET

报告作者：Marina Antoniou

报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）

• 背景
• • 汽车应用的要求
• • 汽车应用对功率器件芯片的要求
• Si Trench IGBT技术
• • 窄台面 IGBT
• • SJ IGBT
• • RC IGBT
• 碳化硅 MOSFET
• • 主单元设计
• • SiC MOSFET 的性能
• • 可靠性
• 趋势与挑战

报告详细内容

参考来源：

Si Trench IGBTs and SiC MOSFETs: Automotive applications

报告作者：Dr. Marina Antoniou , University of Warwick

来源：芯TIP