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4月17日,斯达半导举行了2022年度业绩说明会。会上,公司董秘张哲提到:“公司使用非自主芯片的车规级SiC MOSFET 2022年开始在高端新能源乘用汽车客户大批量装车应用。此外,公司的SiC芯片研发及产业化项目正在有序推进,公司自主的车规级SiC MOSFET芯片顺利开展,预计今年可以在主电机控制器客户批量供货。”

硅基IGBT车用主驱市场“一骑绝尘”

2022年中国IGBT产业进入爆发期。

根据中国汽车工业协会最新统计显示,2022年中国新能源汽车持续爆发式增长,产销分别完成705.8万辆和688.7万辆,同比分别增长96.9%和93.4%,连续8年保持全球第一。

IGBT作为新能源汽车核心零部件,需求量持续高涨。IGBT芯片厂商包括英飞凌和安森美等,这些大厂的交期平均都在一年以上,同时海外如欧洲和美国的电动车市场也开始进入高速增长期,大厂优先保障本土供应。因此,在供需偏紧的情况下,国产IGBT厂商在车载IGBT领域的替代进程加速。

2022年斯达用于主电机控制器的车规IGBT模块持续放量,配套超120万辆新能源车,A级及以上车型超60万辆。

同时受益于800V上车趋势,斯达第六代IGBT模块新增多个车型的定点,1200V IGBT模块新增多个800V平台定点,23年IGBT模块将持续放量。芯片端,斯达第七代微沟槽IGBT的650V/750V芯片开始批量供货,同时车规级1200V IGBT芯片产品已通过客户验证,预计23年开始批量供货。

△ 控制器部分结构图 图源:斯达半导

SiC市场“蓄势待发”


业内普遍认为,碳化硅功率器件在新能源汽车领域具有显著的性能等优势,在主逆变器里,采用碳化硅MOSFET可提高约5%的系统效率。


斯达半导董事长沈华接受采访也曾表示,主逆变器采用碳化硅让整车厂有了两个选择:一是采用相同电池容量,续航里程可提升5%;二是设计相同的续航里程,但电池容量可减少5%。


目前,各大供应商以及整车厂正围绕800V架构对电驱系统中的零部件进行迭代更新。而碳化硅的崛起,与电动汽车的800V高压平台系统算是「绝配」。在800V高压平台火热的趋势下,据行业预测,未来几年SiC功率元器件将随着800V平台的大规模上车进入快速爆发阶段。


2022年,斯达半导体的SiC MOS模块开始在新能源车主驱上大批量装车,随着小鹏G9逐步起量,SiC出货量将不断增长,公司新增多个800V的项目定点。斯达今日业绩说明会上表示:预计公司自主芯片的车规级SiC MOS模块将于23年向主电机控制器客户批量供货,为SiC MOS模块营收增长提供推动力。


综合来看,公司凭借在IGBT、SiC领域领先的产品竞争力,有望牢牢把握新能源车、光储的高需求景气。

国产SiC芯片主驱批量应用已“箭在弦上”


2022年国产SiC MOSFET 推出迅速。据CASA数据,国内至少有14家企业推出多款 SiC MOSFET产品,虽用于主驱应用的mos产品仍屈指可数。五十五所、清纯半导体、士兰微、瞻芯、爱仕特等公司也已经开始给主驱送样测试。

日前,一汽对外发文称,公司首款电驱用750V碳化硅功率芯片已于4月10日完成样品流片,正式进入产品级测试阶段。

根据报道,红旗功率电子开发部联合中电科55所,从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展技术攻关,使得该芯片比导通电阻达到2.15mΩ·cm2,最高工作结温175℃,达到国际先进水平。

我们也期待斯达自研SiC芯片的进一步详细进展公布。

来源:碳化硅芯观察


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