1200V GaN 器件的效率高达 98.7%

Transphorm宣布推出其1200 V蓝宝石基GaN功率FET仿真模型和初步数据表。

TP120H070WS FET 被认为是迄今为止推出的唯一 1200 V蓝宝石基GaN功率半导体，使其模型成为同类产品中的首款。

Transphorm表示，此次发布的产品显示了支持未来汽车电源系统以及通常用于广泛工业、数据通信和可再生能源市场的三相电源系统的能力。

Transphorm最近验证了该GaN器件在100 kHz开关频率下的5 kW 900 V降压转换器中的更高性能。1200V GaN 器件的效率达到了 98.7%，超过了类似额定生产的 SiC MOSFET的效率。

TP120H070WS 器件的主要规格包括：70 mΩ RDS（on）、常关、高效的双向电流、± 20 Vmax 栅极稳健性、低 4V 栅极驱动噪声抗扰度、零 QRR 和 3 引脚 TO-247 封装。

建议将Verilog-A器件模型与SIMetrix Pro v8.5电路模拟器一起使用。LTSpice 模型正在开发中，将于2023年第四季度发布。

来源： 雅时化合物半导体