以“新一代半导体”为中心的更高水平的创新和竞争仍在继续，尤其在人工智能、云计算、5G等新一代科技领域的发展中，新一代半导体行业的地位更加突出。半导体材料从硅、砷、氮化镓、碳化硅等为代表的三代发展历程，到被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓材料，半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展，为信息社会的发展提供有力支撑。为推动科技创新与半导体产业融合发展，搭建科技成果转化供需对接桥梁，8月31日，由北京科技成果转化服务中心主办、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、创客帮投资管理（北京）有限公司联合承办的“新一代半导体”沙龙在创客总部协同创新中心成功举办。活动邀请到高校院所成果方、科技成果转化项目、创新企业、投资机构的相关负责人及有关专家。聚焦“新一代半导体产业”未来发展态势，探讨复杂环境下的突破发展之道。为科技成果供需对接与交流合作搭建优质交流平台。

活动由“主题分享”、“开放交流”两部分组成。在主题分享环节，特邀嘉宾聚焦核心议题展开精彩演讲。

主题分享环节

祥峰投资执行董事任刚通过材料、特性与发展历程、应用，介绍了四代半导体材料的演进。详细分析了第三代和第四代半导体的材料特性与区别，分享了未来行业发展方向与氮化镓领域投资机会。

北京大学集成电路学院研究员、博士生导师魏进首先展示了课题组在碳化硅方面的一系列工作。新兴应用场景（如数据中心、机器人、可穿戴电子产品等）对功率器件的转换效率和功率密度提出了更高要求。GaN功率晶体管因其卓越性能，有望在下一代高频功率开关系统中发挥关键作用。然而，表面陷阱效应引起的动态电阻退化现象成为阻碍GaN功率器件实用化的最重要因素。魏进团队通过研究得出了有源钝化p-GaN栅极HEMT。该器件具有延伸到漏极侧的有源p-GaN钝化层，实现了增强型开关模式。有源钝化层连接到p-GaN栅极，通过栅电极供应或释放可自由移动的空穴，实现对表面陷阱效应的完全屏蔽。该发现能够为未来新兴产业发展提供更多技术论证支持。

北京工业大学先进电子封装材料研究室副教授、博士生导师贾强表示随着第三代功率半导体器件的发展，以SiC为代表的宽禁带半导体芯片在大功率电力电子器件逐渐替代传统的Si芯片，然而，与传统Si芯片配套的封装材料却难以在高温下持久服役，成为宽禁带半导体芯片功率电子器件应用的短板，因此迫切需要一种能够低温连接、高温服役的封装材料。贾强提出了相关创新研究成果，为该短板提供了解决方案。

昂坤视觉（北京）科技有限公司副总经理司亚山介绍了化合物检测设备原创技术与技术优势，通过昂坤视觉的三通道组合方式与原创系统，搭建起产品壁垒。并介绍了自行研发的AI产品矩阵，未来通过硬件设备与人工智能引擎将会为新一代半导体带来更多行业贡献。

开放交流环节

分享嘉宾们从不同角度对新一代半导体的发展进行了观点分享，介绍了对技术发展、产品和行业的趋势看法，引起了参会观众的热烈反响，向分享嘉宾提出诸多深度问题。在开放交流环节中，来自高校、企业、投资机构的参会嘉宾各自介绍了所在机构概况、业务领域及对外合作需求，针对焦点话题发表了看法与观点，部分参会企业向分享嘉宾提出合作需求，一起探讨了商业合作机遇。

本系列沙龙活动旨在搭建技术创新与产业应用间的桥梁，解读产业创新政策，分享典型实践案例，促进科研机构、创业团队等各类创新主体合作交流，为科技成果在京转化赋能。