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11月9日-10日器件与应用专场由中国台湾英飞凌旗下事业GaN Systems 业务开发副总裁 Andy Chuang、北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长金锐、株洲中车时代电气股份有限公司 中车科学家 刘国友、宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长许恒宇主持。

器件与应用专场邀请了飞锃半导体(Alpha Power Solutions)的创始人兼首席执行官 Tony Chau、北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长金锐、西安理工大学教授,博士生导师杨媛、九峰山实验室功率器件负责人,碳化硅首席专家袁俊、香港大学物理系副教授 Chi Chung Ling 、上海瞻芯电子科技有限公司 技术市场经理林其锋、香港科技大学副教授 Man Hoi Wong、 哈尔滨工业大教授朱嘉琦、江南大学教授敖金平、河北工业大学教授张紫辉、 中国台湾英飞凌旗下事业GaN Systems 业务开发副总裁Andy Chuang、日本ULVAC,Inc.总监YOKOO HIDEKAZU、宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长许恒宇、复旦大学工程与应用技术研究院副研究员刘盼、德国Semikron-Danfoss大中华区销售系统与解决方案总监兼大中华区技术总监Norbert Pluschke、国网智能电网研究院有限公司教授级高工杨霏、中国科学院电工研究所研究员温旭辉、 上汽集团创新研发总院捷能电驱业务部首席工程师王东萃作专场报告。

飞锃半导体 创始人兼首席执行官 Tony Chau

报告题目:碳化硅电力电子的快速商业化 - 启动新时代

报告摘要:报告介绍了当前SiC市场的级别情况, 中高压应用为碳化硅器件提供了广阔的发展前景,并对SiC MOSFET 进行了展望。

北京智慧能源研究院 功率半导体研究所所长 金锐

报告题目:碳化硅MOSFET研究进展分析

报告摘要:本报告总结了近40年碳化硅MOSFET器件的技术发展路线,归纳了不同时期和应用场景下的关键结构突破,分析了当前国内外碳化硅MOSFET研究进展及相关产品成熟度现状,最终针对碳化硅MOSFET当前存在的问题和未来发展方向展开了深入探讨,为后续碳化硅半导体产业化进程起到一定的推动作用。

西安理工大学 教授 博士生导师 杨媛

报告题目:碳化硅模块的驱动与保护关键技术研究

报告摘要:本研究揭示SiC模块过冲和振荡产生机理,建立对应的模型,提出将电流电压过冲抑制与振荡抑制分开的分阶段动态驱动方法,实现SiC MOSFET模块开关速度快、开关损耗小的同时,减小模块电气应力,抑制电路振荡,达到高速安全驱动的目的。

九峰山实验室功率器件负责人 碳化硅首席专家 袁俊

报告主题:JFS下一代碳化硅沟槽器件技术研究进展

报告摘要:介绍九峰山实验室平台及功率器件的研究,在下一代碳化硅沟槽器件成套工艺,新型多级沟槽JBS/MPS二极管,新型沟槽MOSFET,沟槽超结等器件技术方面的研究布局和技术开发进展。

香港大学物理系 副教授 Chi Chung Ling

报告主题:通过低温注入后退火和牺牲氧化层沉积抑制碳空位来减少 SiC结势垒肖特基二极管的反向偏压漏电流

报告摘要:报告了商业 SiC JBS 二极管生产过程中的一种新的注入后退火工艺,采用相对较低的退火温度(1700 oC)及引入额外的牺牲氧化层,結果将 VC 浓度抑制在 DLTS 检测极限以下,并将器件反向偏置漏电流减少了 30 倍以上。

上海瞻芯电子科技有限公司 技术市场经理 林其锋

报告主题:如何优化碳化硅模块管芯并联

报告摘要:报告主要介绍了瞻芯电子产品简介及应用,并围绕如何优化模组裸模做了讲解,瞻芯电子一直在稳步向IDM发展,专注于碳化硅和驱动IC的开发并力求提供一站式解决方案。

香港科技大学副教授 Man Hoi Wong

报告主题:氧化镓功率晶体管的回顾与展望

报告摘要:氧化镓已展现出成为功率转换、集成高压射频和高温电子器件领域下一个前沿技术的有利属性,这些成就很大程度由高纯度的同质外延生长推动。在本次报告中回顾了横向和垂直氧化镓晶体管发展的里程碑以及相关的物理和工艺创新,并总结对氧化镓晶体管技术前景的展望。

哈尔滨工业大学 教授 朱嘉琦

报告主题:金刚石半导体材料及高性能同位素电池研究

报告摘要:报告以半导体用金刚石材料及辐射伏特同位素电池研究为主题,介绍高质量金刚石合成,金刚石半导体器件制备及其同位素电池器件研发,并给出发展展望。

江南大学 教授 敖金平

报告主题:氮化镓功率器件的研究与应用

报告摘要:本报告介绍了650V耐压的GaN功率器件。作为应用例子,设计和制造了快充样品。基于输出电流20A器件,电源转换效率达到90%以上。

河北工业大学 教授 张紫辉

报告主题:GaN功率电子器件的物理建模与制备研究

报告摘要:报告对GaN功率半导体器件开展详细讨论,详细阐述半导体器件仿真技术在GaN功率半导体器件设计和制备过程中的关键作用,同时深入探讨影响半导体器件性能指标的关键因素,并开发出GaN功率半导体材料与器件相关的数理模型,助力半导体制造领域的发展。

英飞凌旗下事业GaN Systems 业务开发副总裁 Andy Chuang

报告主题:氮化镓功率器件应对减碳挑战 引领电源革新

报告摘要:本次报告剖析了氮化镓功率器件为消费电子、电动车、工业、数据中心、再生能源等高能源需求产业,解决下世代电源设计在效率及功率密度上的挑战。

ULVAC,Inc. 技术总监 YOKOO HIDEKAZU

报告主题:SiC离子注入技术研究进展

报告摘要:本报告将主要关注离子注入工艺,这是SiC独有的工艺技术之一,同时还将讲解离子注入后的退火工艺,以及蚀刻和溅射工艺。

宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长 许恒宇

报告主题:高压大功率半导体器件可靠性设计与评估

报告摘要:高压大功率半导体器件的产品研制需要从性能、可靠性和成本三个维度来综合考虑。其中,可靠性对器件的重要性是无可争议的。可靠性方面的产品故障必然导致产品召回和赔偿损失,极端情况下会导致人员伤亡。因此,可靠性在现代科学与工程中起到了关键的作用,同时也面临各种各样的机遇和挑战。

复旦大学工程与应用技术研究院副研究员 刘盼

报告主题:SiC功率器件及封装发展趋势

报告摘要:SiC功率器件是一种采用碳化硅作为宽带隙半导体材料的电力电子器件。它具有高功率密度和高可靠性,已经在电力电子领域取得重要的进展。然而,SiC器件的设计和制造仍面临挑战,需要解决新结构和过程的难题。

Semikron-Danfoss 大中华区销售系统与解决方案总监兼大中华区技术总监 Norbert Pluschke

报告主题:SiC器件的可靠封装技术

报告摘要:本报告提出了一种新的SiC芯片封装和互连技术。我们将为功率模块中使用的SiC芯片介绍一种具有更高电流密度和优异热阻抗的3D设计。使用这种新的封装技术可以实现更长的寿命(PC/TC)。整流和电源端杂散电感可以降低到3nH以下。优化的DC总线电容器设计将总杂散电感保持在7-8nH的范围内。

国网智能电网研究院有限公司 教授级高工 杨霏

报告主题:6500V SiC MOSFET器件研制及电力电子变压器工程应用

报告摘要:本报告介绍了当前低碳发展推动了发电、配电和使用的变革。新型电力系统涌现,多种发电方式并存,电源、电网、电力负荷和电力存储相互交织。650V~1700V SiC mosfet和JBS二极管已经商业化,适用于电动汽车,光伏和UPS应用。高频、低功耗提高了系统效率,带动了市场的快速增长。全sic固态变压器将为能源行业带来革命性变化,促进可持续发展。

中国科学院电工研究所 研究员 温旭辉

报告主题:新能源汽车SiC电机驱动技术研究

报告摘要:报告在对当前电动汽车电驱系统发展现状综述的基础上,重点介绍了在车用SiC电机驱动控制器的高密度集成、电磁兼容和SiC功率模块结温监测的研究工作。

上汽集团创新研发总院捷能电驱业务部 首席工程师 王东萃

报告主题:碳化硅功率器件在汽车领域的应用及展望

报告摘要:本报告依托上汽创新总院的四大自主品牌和七大技术底座,介绍了SiC技术在不同电压平台的应用优劣势,并详细对比了400v到800v电驱和电池部分关键参数的提升。同时分别从SiC技术的行业关注度、技术优势、效率提升、成本降低、NVH改善、体积减小等方面,全面剖析了SIC得到广泛市场应用的本质原因,充分论证了SIC具有更高开关效率、更低导通损耗的技术特色。


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