公司介绍

北京镓和半导体有限公司是专业从事氧化镓材料、相关器件研发及应用的高科技企业。研发生产高质量单晶衬底和外延晶片、单晶及外延设备、高灵敏日盲紫外探测器件、高压高温高频率大功率电力电子器件等氧化镓系列高科技产品。公司拥有氧化镓单晶衬底、外延，器件、以及专用装备等方面的核心技术，在第四代半导体领域具有独创性、引领性和影响力，属国内第四代半导体产业的引领企业，是中关村高新科技企业。

公司技术源自创始人团队十多年深耕氧化镓领域的科研成果，得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、教育部国防预研专项基金、北京市及广州市重点研发专项等十多项科研基金的支持。镓和半导体拥有国内发明专利20多项，掌握氧化镓单晶生长及晶体加工、薄膜外延和器件设计制备等多方面的技术秘密（Know-how），拥有自主氧化镓单晶生长设备设计制造能力，合作开发氧化镓外延设备，主动开拓并积极布局氧化镓设备-材料-器件的产业链条，实现我国氧化镓产业自主可控。

目前公司已拥有2-4英寸单晶衬底和外延的技术能力。在2023年10月第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会上，镓和半导体正式对外发布“国内首批4英寸氧化镓单晶衬底技术参数”，同时宣布具备全面提供“多规格氧化镓单晶产品；多规格氧化镓外延产品；多规格氧化镓专用设备；定制化样品及技术服务”能力。

嘉宾介绍

唐为华教授，北京镓和半导体有限公司创始人、董事长及首席科学家。现任南京邮电大学教授/博导，曾任北京邮电大学教授/博导，中科院物理所研究员/博导，曾在香港大学、法国国家研究中心稀土冶金光谱实验室、美国国家技术与标准研究院、美国杜兰大学等国际知名机构开展合作研究。担任国家自然科学基金委和科技部国家重大研究计划等科技与人才项目会评专家、国内外十余种学术杂志特邀评审、中国晶体学会理事、中国物理学会X射线衍射专业委员和固体缺陷专业委员会委员、亚洲氧化镓联盟理事、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会委员、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟监事、“中关村标准”智库首批特聘专家。

2011年开始专注开展超宽禁带半导体氧化镓材料、物性及器件研究，是国内开展氧化镓科学研究的领先者与产业化实践的先行者。主持氧化镓相关国家及省部级科研项目20多项，总经费5000多万元。拥有氧化镓晶体、外延及光电器件相关发明专利30多项，发表SCI收录论文350多篇，被引用15000余次，H因子61，发表氧化镓相关SCI论文及引用国际排名第一，连续多年被ELSEVIER评为高被引论文学者，入选2023年全球顶级材料科学家全球榜单、全球前2%顶尖科学家、1960-2023终身科学影响力榜单。获得北京市科学技术一等奖和北京市自然科学二等奖，为国内首个氧化镓研究相关的省部级科技奖；享受国务院政府特殊津贴、曾入选国家“新世纪百千万人才工程”、中国科学院“百人计划”、江苏省“双创人才”、北京邮电大学首届“传邮人才”、广州市黄浦区广州开发区精英人才（创新）、南京紫金山英才-江北计划高层次创新创业人才（创业类）等。

Q：请介绍公司目前在氧化镓方面的发展规划

北京镓和半导体有限公司作为国内氧化镓产业的开拓者和引领者，将按照半导体产业的发展规律专注氧化镓产业生态的建设，围绕氧化镓产业设备、材料、器件等相关方面，突破氧化镓产业化自主可控的关键技术，同时对标国际氧化镓先进企业，突破“卡脖子”的难题，快速推进我国氧化镓产业的发展。

首先氧化镓衬底及外延目前是氧化镓半导体产业发展的瓶颈，是光电、射频和功率器件制备的最重要载体。镓和半导体首先重点聚焦大尺寸氧化镓衬底技术的突破，2023年已经实现2英寸氧化镓单晶衬底量产，开始向下游市场供货，4英寸氧化镓单晶衬底良率也在持续提升，2024年将实现4英寸氧化镓单晶衬底量产，同时开展6英寸及以上单晶衬底的研发，预计2025年初发布6英寸氧化镓衬底。外延方面，将于2024年推出2英寸、4英寸氧化镓同质外延。

其次氧化镓相关设备是氧化镓半导体产业发展的关键，保障了高质量材料和高性能器件的高良品率。镓和半导体基于大量的工艺参数，经过数值模拟、反复迭代，已经具备优化的温场流场设计、生长参数自动化、生长过程可视化的晶体生长设备设计制造能力，目前可提供2-4英寸晶体生长炉，并提供生长验证。在外延设备方面，也已经通过现有MOCVD设备改造，合作开发多种生长技术的集成，可提供定制化的氧化镓专用外延设备，同时提供外延工艺验证。

再者氧化镓光电、射频和功率器件的实现是氧化镓半导体产业核心体现，推动氧化镓产业向下游延伸。镓和半导体走在光电器件研究前列，与大学和研究机构合作开展氧化镓器件的基础研究，并与下游器件产业方建立战略合作，共同推进氧化镓器件的产业化。目前器件基础研究已经远远超前于器件产业化研发，器件结构设计、制备工艺、测试表征吸引了大批科研人员的兴趣，产出大批学术论文，同时实验室的原型器件也进一步验证了氧化镓作为光电、射频和功率器件的性能优势。通过衬底复合、异质集成、结构优化以及创新封装技术等等，有效地解决或回避了氧化镓材料热导低和p型掺杂难等氧化镓材料的本征缺陷，进一步增强氧化镓器件产业化应用的信心，氧化镓产业爆发的曙光越来越近了。

最后氧化镓器件的大规模集成应用是氧化镓半导体产业爆发的体现，曙光就在眼前。目前镓和半导体正在积极与下游企业合作，携手推进氧化镓器件在行业应用示范。

Q：公司团队介绍

唐为华教授作为我国第四代超宽禁带半导体氧化镓材料与器件研究的领军人物，十多年来专心专注潜心研究，成为我国氧化镓产业化进程的先行者和主推手，北京镓和半导体有限公司创始人和董事长。北京镓和半导体有限公司成立得到中国科学院院士丁洪教授和国产碳化硅晶片的开路人陈小龙教授大力支持，从镓和半导体成立之初他们就作为镓和半导体的科学与技术顾问。五位核心团队成员具有10年以上半导体行业从业经历，学历层次高，团队凝聚力强，创业意志坚定。镓和半导体目前拥有16名成员，团队立志“四代创新，镓和先行”，秉承“突破封锁，独立自主，踔厉奋发，笃行不怠，干在实处，走在前列”信念，在技术突破、产品开发、产能扩充、人才引进、应用布局等关键环节上谋篇布局厚积薄发，为大尺寸氧化镓衬底及外延国产化提速升级，为我国第四代半导体材料产业链的自主可控和全面发展做出应有贡献。

镓和半导体团队持续接力攻关，自主研发，掌握核心知识产权，研发大尺寸氧化镓单晶生长装备、掌握氧化镓MOCVD高质量外延技术、突破超宽禁带氧化镓高质量异质/同质外延和掺杂调控技术，研制出关键指标国际领先的日盲探测器件。北京镓和半导体有限公司在氧化镓单晶衬底、外延薄膜、光电器件方面国内领先，单晶衬底与国际最好水平不分伯仲，与此同时还拥有自主设计和研发氧化镓生长关键设备能力，并完全实现核心技术自主掌握，多次荣获科技奖项，成为国际氧化镓产业的第一梯队。

Q：请介绍一下公司的主营产品

（1）自主研发生产的氧化镓长晶炉，MOCVD外延设备改造；

（2）各种规格的氧化镓衬底，包括2英寸，4英寸及定制化产品；

（3）氧化镓晶体加工服务；

（4）氧化镓同质和异质外延；

Q：如何看待校企合作及产学研结合方式在氧化镓产业化发展中的作用？

第一、北京镓和半导体有限公司本身就是“校企联合、产研相济”的科创企业，是唐为华教授在团队多年扎实的氧化镓基础研究成果基础上，顺应国家大战略和国际竞争新格局的时代背景下所创办。校企联合在开办科创类企业中具有以下特点和优势：

（1）技术创新：通过联合研发，可以结合技术和生产实践，创新开发出更具市场竞争力的产品，建立在深厚科学研究基础上的技术创新根基更牢，根深才能叶茂，基础研究决定技术所能达到的高度，技术创新决定技术应用的广度。

（2）资源共享：学校和企业可以共享资源，包括人才、设备、技术等。学术机构人才层次高，学科背景广，仪器设备全，技术更专业， 这些有助于减少研发成本，提高研发效率。

（3）人才培养：校企合作可以为学生提供实践和就业机会，同时培养出更多具备实际操作技能和应用能力的产业人才，为企业培养和储备大批的持续不断的产业技术人才。

（4）品牌效应：校企联合可以增强企业的技术形象，提高品牌价值。

第二、在氧化镓半导体产业化发展方面，校企合作和产学研结合方式具有以下作用：

（1）技术突破：通过产学研结合，可以集中优势资源进行技术攻关，打破国外技术封锁，推动半导体技术的国产化进程。

（2）产业升级：校企合作可以促进半导体产业的发展，推动产业升级和转型。通过技术转移和人才培养，提高整个产业的竞争力。

（3）创新驱动：产学研结合可以推动科技创新和成果转化，为氧化镓产业提供源源不断的创新动力。

（4）人才培育：通过校企合作，可以为半导体产业培养更多高素质的人才，满足产业发展对人才的需求。

第三、综上所述，校企合作和产学研结合方式在科创类企业的开办和氧化镓半导体产业化发展中都具有非常重要的作用。通过这种方式，可以促进技术创新、人才培养和产业升级，提高自身企业的竞争力和整个产业链的健康发展。

Q：公司觉得氧化镓产业化发展需要哪些前提条件

（1）拥有产业化技术：氧化镓是一种第四代新型超宽禁带半导体材料，其制备技术需要不断创新、成熟和提高，以确保材料的质量、产量和稳定性。可控的质量、产量和良率是产业化的关键。

（2）掌握自主技术：氧化镓作为美国、日本等发达国家严密封锁禁运的战略性半导体材料，我们必须独立自主自力更生，依靠自身过硬的创新能力突破封锁，掌控必要的发明专利，做到人无我有人有我优，方能立于不败之地。

（3）顺应市场需求：氧化镓的系列产品需要市场的逐步认可和接受，就需要有提前的整体规划和有效的谋篇布局，科学引导稳健发展。首先选择容易被市场接受的突破点，逐步建立氧化镓的版图。

（4）健全产业生态：氧化镓的产业化需要建立和健全整个产业链和生态圈，需要包括衬底、外延、器件及应用等环节的配合和支持。

（5）打造人才队伍：人才是科技创新的第一生产力，因此，打造一支高素质、作风硬、能力强的人才队伍是迈向成功的首要条件。

（6）稳定资金支持：氧化镓的产业化需要大量的资金投入，包括研发、生产、市场推广等环节。

（7）政府政策引导：政府可以提供政策支持和引导，促进氧化镓的产业化进程。

总之，这些前提条件是相辅相成的，需要在整个产业中得到协调和配合，才能实现氧化镓的产业化稳健发展。

Q：公司需要哪些氧化镓相关的技术人才

镓和半导体专注氧化镓产业化推进，需要具有物理、电子、材料、机械等多学科背景的融汇型研发人才，主要围绕晶体生长、加工到外延生长、器件设计等集聚相关人才。

Q：公司未来氧化镓产业化的发展方向

从整体而言，镓和半导体未来将持续研发大尺寸氧化镓单晶衬底和外延材料，形成量产化技术，提供高质量的氧化镓单晶衬底及外延晶片，这是镓和半导体的核心业务，同时提供定制化晶体和外延设备以及异质/同质外延和掺杂调控技术技术服务，其次开展光电、射频与功率器件设计研究，开拓氧化镓器件的示范应用。

我们充分认识到，氧化镓衬底及外延，也一直是超宽禁带半导体产业发展的瓶颈，是光电和功率器件制备的最重要载体。此前氧化镓晶体生长技术一直被日本的NCT公司垄断，2022年美国联合日本对我国进行氧化镓衬底禁运。未来镓和半导体实现大尺寸氧化镓衬底的产业化突破，将解决超宽禁带半导体发展中的“卡脖子”难题，并快速推进我国氧化镓功率器件发展。

我们坚信，相较三代半导体材料碳化硅，氧化镓器件耐压更高，尺寸更小，成本更低，应用更广，在功率器件市场上潜力巨大，未来必将大放异彩、占据宽禁带半导体的重要地位。根据日本富士经济预测，2025年全球氧化镓材料市场规模会达到45亿人民币，2030年将达到100亿人民币，其上下游产业链将形成千亿规模的产业集群。

镓和半导体愿和国内同仁携手开展全领域合作，为我国氧化镓产业的发展携手并肩行稳致远，实现全面弯道超车。

氧化镓是最被看好的第四代超宽禁带半导体，应用领域明确，优势明显，潜力无限。但同时我们也要清醒的认识到，氧化镓的产业化仍有较长的路要走，需要国内外的同行们共同努力。镓和半导体团队将立志“四代创新，镓和先行”，秉承“突破封锁，独立自主，踔厉奋发，笃行不怠，干在实处，走在前列”信念，勇做行业先锋，闯出全新天地。

来源： 亚洲氧化镓联盟

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